text:
# アレクサンダル・ヨヴァノヴィッチ
アレクサンダル・ヨヴァノヴィッチ（Aleksandar Jovanović, 1989年8月4日 - ）は、オーストラリアの元サッカー選手。現役時代のポジションはDF。オーストラリア・シドニー出身。
Kリーグ時代の登録名はアレックス（ハングル: 알렉스）。

## 経歴
高校に通いながら地元のクラブでプレーをしていた。
2008年からはセルビアのリーグに活躍の場を移した。
2014年、Kリーグ1の済州ユナイテッドFCに移籍した。
2016年2月6日、天津泰達足球倶楽部に移籍した。
2017年2月、済州ユナイテッドに復帰した。
2020年1月14日、FKジェリェズニチャル・サラエヴォに6か月間の契約で加入した。
2020年10月13日、マッカーサーFCに加入した。
2022年7月22日、ベンガルールFCに移籍した。

wikiname: jawiki

title: アレクサンダル・ヨヴァノヴィッチ

in_language: ja

wikitext:
{{Other people|1989年生のサッカー選手|1992年12月生のサッカー選手|アレクサンダル・ヨヴァノヴィッチ (1992年12月生のサッカー選手)}}
{{サッカー選手
|名前=アレクサンダル・ヨヴァノヴィッチ
|画像=
|愛称=アレックス
|アルファベット表記=Aleksandar Jovanović
|国={{AUS}}<br/>{{SRB}}
|出身地=[[シドニー]]
|生年月日={{生年月日と年齢|1989|8|4}}
|身長=196cm
|所属チーム名=
|ポジション=[[ディフェンダー (サッカー)|DF]](CB)
|背番号=
|ユースクラブ1={{Flagicon|AUS}} [[APIAライカート・タイガースFC|ライカート・タイガース]]|ユース年1=
|クラブ1={{Flagicon|AUS}} [[パッラマッタ・イーグルス]]|年1=2006-2007|出場1=5|得点1=0
|クラブ2={{Flagicon|SRB}} [[FKヴォイヴォディナ・ノヴィ・サド|ヴォイヴォディナ]]|年2=2008-2011|出場2=2|得点2=0
|クラブ3=→{{Flagicon|SRB}} [[FKパリッチ|パリッチ]](loan)|年3=2008|出場3=3|得点3=0
|クラブ4=→{{Flagicon|SRB}} [[FKヴェテルニク|ヴェテルニク]](loan)|年4=2009|出場4=13|得点4=0
|クラブ5=→{{Flagicon|SRB}} [[RFKノヴィ・サド1921|ノヴィ・サド]](loan)|年5=2009-2011|出場5=35|得点5=1
|クラブ6={{Flagicon|SRB}} [[FKハイドゥク1912|ハイドゥク・クラ]]|年6=2011|出場6=7|得点6=0
|クラブ7={{Flagicon|THA}} [[ポリス・テロFC|ポリス・テロ]]|年7=2012|出場7=30|得点7=3
|クラブ8={{Flagicon|KOR}} [[水原FC]]|年8=2013|出場8=24|得点8=0
|クラブ9={{Flagicon|KOR}} [[済州ユナイテッドFC]]|年9=2014-2015|出場9=53|得点9=1
|クラブ10={{Flagicon|CHN}} [[天津泰達足球倶楽部|天津泰達]]|年10=2016|出場10=23|得点10=2
|クラブ11={{Flagicon|KOR}} 済州ユナイテッドFC|年11=2017-2019|出場11=51|得点11=2
|クラブ12={{Flagicon|BIH}} [[FKジェリェズニチャル・サラエヴォ|ジェリェズニチャル・サラエヴォ]]|年12=2020|出場12=1|得点12=0
|クラブ13={{Flagicon|AUS}} [[マッカーサーFC|マッカーサー]]|年13=2020-2022|出場13=33|得点13=1
|クラブ14={{Flagicon|IND}} [[ベンガルールFC|ベンガルール]]|年14=2022-2025|出場14=60|得点14=0
|クラブ成績更新日=
}}

'''アレクサンダル・ヨヴァノヴィッチ'''（Aleksandar Jovanović, [[1989年]][[8月4日]] - ）は、[[オーストラリア]]の元サッカー選手。現役時代のポジションはDF。オーストラリア・[[シドニー]]出身。

[[Kリーグ1|Kリーグ]]時代の登録名は'''アレックス'''（[[ハングル]]: 알렉스）<ref>{{cite web |url=https://portal.kleague.com/common/search/popUpPlayerDetail.do?playerDetailInfo=20130393 |title=알렉스 |website=K League |accessdate=2023-11-04}}</ref>。

==経歴==
高校に通いながら地元のクラブでプレーをしていた<ref>[http://www.nswschoolsfootball.org.au/natboys_07.htm CHS Nationals 07]</ref>。

2008年からは[[セルビア]]のリーグに活躍の場を移した。

2014年、[[Kリーグ1]]の[[済州ユナイテッドFC]]に移籍した<ref>[http://www.jejuweekly.com/news/articleView.html?idxno=3897] Jeju Weekly</ref>。

2016年2月6日、[[天津泰達足球倶楽部]]に移籍した<ref>[http://sports.sina.com.cn/china/j/2016-02-06/doc-ifxpfhzq2554605.shtml 泰达宣布签两中卫+两前锋] at sports.sina.com</ref>。

2017年2月、済州ユナイテッドに復帰した。

2020年1月14日、[[FKジェリェズニチャル・サラエヴォ]]に6か月間の契約で加入した<ref>{{cite web|url=https://sport1.oslobodjenje.ba/premijer-liga-bih/zvanicno-zeljeznicar-angazovao-veliko-pojacanje/178531|title=(ZVANIČNO) Željezničar angažovao veliko pojačanje|date=14 January 2020|accessdate=2022-11-08|language=Bosnian|publisher=Sport1.ba}}</ref>。

2020年10月13日、[[マッカーサーFC]]に加入した<ref>{{cite web|url=https://www.macarthurfc.com.au/news/aleksandar-jovanovic-signs-macarthur-fc|title=Aleksandar Jovanovic signs with Macarthur FC|publisher=Macarthur FC|date=13 October 2020|access-date=2022-11-08}}</ref>。

2022年7月22日、[[ベンガルールFC]]に移籍した。

==脚注==
{{Reflist}}

{{デフォルトソート:ようあのういつち あれくさんたる}}
[[Category:オーストラリアのサッカー選手]]
[[Category:セルビアのサッカー選手]]
[[Category:FKヴォイヴォディナ・ノヴィ・サドの選手]]
[[Category:RFKノヴィ・サド1921の選手]]
[[Category:FKハイドゥク1912の選手]]
[[Category:BECテロ・サーサナFCの選手]]
[[Category:水原FCの選手|あれつくす ようあのういつち]]
[[Category:済州ユナイテッドFCの選手|あれつくす ようあのういつち]]
[[Category:天津津門虎足球倶楽部の選手]]
[[Category:FKジェリェズニチャル・サラエヴォの選手]]
[[Category:マッカーサーFCの選手]]
[[Category:ベンガルールFCの選手]]
[[Category:セルビア系オーストラリア人]]
[[Category:シドニー出身の人物]]
[[Category:1988年生]]
[[Category:存命人物]]

title: 名前

愛称: アレックス

ラテン文字: Aleksandar Jovanović

title: 基本情報

国籍: オーストラリア · セルビア

出身地: シドニー

title: 選手情報

ポジション: DF(CB)

title: クラブ1

年: クラブ · 出場 · (得点)

パッラマッタ・イーグルス · 5 · (0)

ヴォイヴォディナ · 2 · (0)

→ パリッチ(loan) · 3 · (0)

→ ヴェテルニク(loan) · 13 · (0)

→ ノヴィ・サド(loan) · 35 · (1)

ハイドゥク・クラ · 7 · (0)

ポリス・テロ · 30 · (3)

水原FC · 24 · (0)

済州ユナイテッドFC · 53 · (1)

天津泰達 · 23 · (2)

済州ユナイテッドFC · 51 · (2)

ジェリェズニチャル・サラエヴォ · 1 · (0)

マッカーサー · 33 · (1)

ベンガルール · 60 · (0)

クラブ1: 1. 国内リーグ戦に限る。 · ■テンプレート（■ノート ■解説）■サッカー選手pj


text:
# 多結晶シリコン
多結晶シリコン（たけっしょうシリコン、Polycrystalline silicon/multicrystalline silicon）は、ポリシリコン（polysilicon）、poly-Si あるいは mc-Si とも呼ばれ、高純度なシリコンの多結晶であり、太陽光発電と電子産業において原材料として使われる。
多結晶シリコンは、冶金グレードシリコン（MG-Si : metallurgical-grade silicon。純度が低いシリコン）からシーメンス法と呼ばれる化学的な精製処理によって製造される。その処理は、揮発性シリコン化合物の蒸留と高温でのシリコンへの化学分解を含んでいる。新しい方法として、流動層反応器を使う改良された方法がある。太陽光発電産業は、化学的な精製処理の代わりに冶金を使って純度を上げた改良型冶金グレードシリコン（UMG-Si : upgraded metallurgical-grade silicon）も生産する。電子産業のために生産されるポリシリコンは、1 ppb未満の不純物を含んでいるが、ソーラーグレードシリコン（SoG-Si : solar grade silicon）は、一般的にそれよりも純度が低くなる。GCL-Poly、Wacker Chemie、トクヤマ、OCI、そしてHemlock Semiconductorのような中国、ドイツ、日本、韓国、そしてアメリカ合衆国の企業およびREC（ノルウェー発祥）は、2013年に全世界で23万トンの生産量を計上した。
原材料としてのポリシリコン（大きな棒状であり、大抵は特定の大きさのチャンクに砕かれる。そして、出荷前にクリーンルームの中で梱包される）は、直接多結晶インゴットへ形成される、あるいは、単結晶ブールに成長させるために再結晶化プロセスに送られる。
そして、ブールは、薄いシリコンウェハーにスライスされ、太陽電池、集積回路、そしてその他の半導体デバイスに使われる。
ポリシリコンは、小さな結晶（晶子としても知られる）の集まりであり、それらの結晶は結晶粒界をもたらす。結晶粒界によって、金属フレーク効果（metal flake effect）が発生し、ポリシリコンの中に金属の断片が散りばめられたように見える。
ポリシリコン（Polysilicon）とマルチシリコン（multisilicon）は、類義語としてよく使われる。その一方で multicrystalline（多結晶の意）は、1ミリメートルより大きい結晶に対してよく使われる。
多結晶シリコン太陽電池は、急速に成長する太陽光発電市場における最も一般的な種類の太陽電池であり、全世界で生産されるポリシリコンの大半を消費する。
従来の1メガワットの太陽電池モジュールを製造するために約5トンのポリシリコンを必要とする。
ポリシリコンは、単結晶シリコンやアモルファスシリコンと明確に異なったものである。

## 多結晶シリコン 対 単結晶シリコン
単結晶シリコン（single-crystal silicon / monocrystalline silicon）において、結晶構造は均一であり、見た目の色が均一であることによって区別できる。
その結晶構造は、結晶粒界がないので、全体が単結晶であり、結晶が連続しており、結晶が壊れていない。
大きな単結晶は自然において極めて珍しく、研究所で作ることも難しい（en:Recrystallization (chemistry)も参照）。
それと対照的にアモルファス構造において、原子配置の秩序は短い範囲に制限される。
多結晶とパラクリスタル（準結晶）の相は、多くの小さな結晶あるいは晶子から構成される。
多結晶シリコン（半結晶シリコン、ポリシリコン、ポリSi、あるいは単純に「ポリ」）は、複数の小さなシリコン結晶から成る物質である。
多結晶セルは、「金属フレーク効果」と呼ばれる目に見える大きさの粒によって識別できる。
半導体グレード（あるいはソーラーグレード）多結晶シリコンは、単結晶シリコンへ変換される。つまり、ランダムに結合した多結晶シリコンのシリコン晶子は、大きな単結晶へ変換されるということである。
単結晶シリコンは、シリコンでできたマイクロエレクトロニクス素子のほとんどを製造するのに使われる。
超高純度ポリシリコン（純度99.999999999%）は、半導体産業で使われ、長さ2mから3mのポリシリコンのロッドから製造される。
マイクロエレクトロニクス産業（半導体産業）において、ポリシリコンはマクロスケールとマイクロスケール（成分）の両方の段階で使用される。
単結晶はチョクラルスキー法、ゾーンメルト法そしてブリッジマン・ストックバッカー法を使って成長される。

## 部品として使われる多結晶シリコン
部品レベルで考えると、ポリシリコンはMOSFETやCMOSの製造工程において伝導性のあるゲート物質として長らく使われてきた。
これらの技術のために低圧化学気相成長（LPCVD : low-pressure chemical-vapour deposition）反応器を使ってポリシリコンを成長させる。成長されるポリシリコンは、大抵高濃度にドープされたn型半導体やp型半導体である。
近年、そのままのポリシリコンとドープされたポリシリコンが薄膜におけるアクティブ層やドープされた層として大面積エレクトロニクスで使われている。
ポリシリコンは低圧化学気相成長（LPCVD）によって成長させることができるが、プラズマ化学気相成長法（PECVD : plasma-enhanced chemical vapour deposition）あるいは特定の処理方法においてアモルファスシリコンの固相結晶化を使うこともできる。これらの工程は少なくとも摂氏300度の高温を必要とする。
これらの温度においてガラス基板上でポリシリコンを堆積することが可能であるが、プラスチック基板上で成長させることはできない。
プラスチック基板上の多結晶シリコンの成長は、フレキシブルスクリーン（曲げられる画面）のデジタル表示装置を製造できるということで期待されている。
それゆえにプラスチックを溶かしたり損傷しないようにプラスチック基板上で前駆体アモルファスシリコン（a-Si）を結晶化するためにレーザー結晶化という比較的新しい技術が考案された。
短周期かつ高密度の極端紫外線レーザーパルスは、基板全体を溶かさないように成長させたa-Siを溶かしたい部分だけ加熱するために使われる。
溶かされたシリコンは、冷えるに従って結晶化する。
温度勾配を精密に制御することによって、非常に大きな粒に成長させることができる。極端な場合、数百マイクロメートルまで成長できるが、10ナノメートルから1マイクロメートル程度の大きさが一般的である。
しかしながら、広い面積に渡ってポリシリコン上にデバイスを作るために、デバイスの形状よりも結晶の粒が小さいことがデバイスの均一性のために必要とされる。
低温でポリシリコンを生成するもう一つの方法は、金属誘起結晶化（metal-induced crystallization）である。
その方法において、アルミニウム、金、あるいは銀のような他の金属膜と接触させながら焼き入れるとアモルファスシリコンの薄膜を摂氏150度程度の低温で結晶化させることができる。
ポリシリコンは、VLSIの製造において多くの用途がある。
主な用途の一つは、MOSデバイスのためのゲート電極物質としてである。
ポリシリコンのゲートの電気伝導率は、ゲート上に金属（タングステンのようなもの）あるいは金属シリサイド（タングステンシリサイドのようなもの）を堆積することによって増大する可能性がある。
ポリシリコンは、抵抗器、導電体、あるいはシャロージャンクションとして使用される可能性もある。シャロージャンクションにおいて、ポリシリコン物質にドーピングを行うことによって得られた期待された電気伝導率を利用する。
ポリシリコンとアモルファスシリコン（a-Si）の主な違いは、ポリシリコンの電荷担体の移動度が10のべき乗倍大きく電界と光によるストレスにおいてより高い安定性を示すことである。
このことは、より複雑でより高速な電子回路をアモルファスシリコンと一緒にガラス基板上に作成することを可能にする。
ポリシリコンとアモルファスシリコンが同じ製造過程で使われるとき、ハイブリッドプロセッシングと呼ばれる。
小さな画素の大きさが必要とされるいくつかの事例（例えば、液晶プロジェクタ）で完全なポリシリコン活性層プロセス（complete polysilicon active layer process）も使用される。

### 太陽光発電産業のための原材料
多結晶シリコンは、太陽光発電産業おける結晶シリコンの重要な原材料であり、従来型の太陽電池の製造に使われる。
2006年代の初め頃、ポリシリコンの世界供給量の半分以上は、太陽電池製造企業によって消費されていた。
太陽電池はポリシリコン原材料の供給不足によって厳しく制限され、2007年において太陽電池セルとモジュールの製造能力の約1/4を稼働しないように強制された。
2008年において、12の工場だけがソーラーグレードシリコンを製造していた。しかしながら、2013年までに製造企業の数は100以上に増加した。
単結晶シリコンはチョクラルスキー法によって再結晶化されているので、ポリシリコンよりも高価でより効率の良い半導体である。

## 堆積法（Deposition methods）
ポリシリコン堆積、あるいは半導体ウェハー上に多結晶シリコンの層を堆積する工程は、摂氏580度から650度までの高温におけるシラン (SiH4) の化学分解によって実現されている。
この熱分解処理は、シリコンから水素を放出する。摂氏500度から800度の化学気相成長によって行われる。
SiH4(g) → Si(s) + 2 H2(g)
ポリシリコンの層は、25–130 Pa (0.19–0.98 Torr)の圧力において100%のシランを使って堆積させることができる。あるいは、同一の圧力下で窒素で薄めた20%から30%のシランを使うこともできる。
これらのプロセスは両方とも一度に10枚から200枚のウェハー上にポリシリコンを堆積することができる。1分間に10nmから20nmの堆積を行うことができ、厚みは±5%の範囲で均一になる。
ポリシリコン堆積におけるこのプロセスの重要な変数は、温度、圧力、シラン濃度、そして不純物濃度である。
ウェハーの間隔と大きさは、堆積プロセスにおいてわずかな影響しか及ぼさない。
ポリシリコンの堆積速度は、温度を上げると大きくなる。それはアレニウスの式に従うので、堆積速度＝ A·exp(–qEa/kT)である。ここでqは電荷であり、kはボルツマン定数である。
ポリシリコン堆積のための活性化エネルギー（Ea）は、約1.7 eVである。
この数式に基づくと、ポリシリコン堆積速度は、堆積温度の上昇とともに増加する。
しかしながら、未反応のシランが表面に到達する速度よりも堆積速度が速くなる最低温度が存在する。
この温度を超えると、ポリシリコンを生成するシランの不足によって堆積速度はもはや温度とともに上昇できない。
そのような反応は、物質転送制限（mass-transport-limited）と言われている。
ポリシリコンの堆積プロセスが物質転送制限になったとき、反応速度（reaction rate）は主に反応物質濃度、反応器形状、そしてガスの流量に主に依存するようになる。
ポリシリコンの堆積が生じる速度が未反応のシランがウェハー表面に到達する速度よりも遅いとき、それは表面反応制限（surface-reaction-limited）と呼ばれる。
表面反応制限になっている堆積プロセスは、主に反応物質濃度と反応温度に依存する。
堆積プロセスは、表面反応制限にしないといけない。なぜなら、良好な厚みの均一性とステップカバレッジ（step coverage）を実現できるからである。
表面反応制限領域における絶対温度の逆数に対して堆積速度を対数で描画すると直線になる。その傾きは–qEa/kに等しい。
VLSI製造のための低い圧力レベルにおいて、摂氏575度未満のポリシリコン堆積速度は、実用にするには遅すぎる。
摂氏650度を超えると、望ましくない気相反応とシランの枯渇が原因で堆積の均一性は悪化し、非常に荒い堆積になる。
低圧力の反応器の内部における圧力を変更することができる。ポンプの速度を変えるか、反応器の入口のガスの流量を変えるかのどちらかよって圧力を変更できる。
もしも入口のガスがシランと窒素から構成されるならば、入口のガス流量、従って反応器の圧力を変更できる可能性がある。一定のシラン流量における窒素流量の変更をするか、あるいはガス比率を一定に保ちつつ合計のガス流量を変更するために窒素とシランの両方の流量を変更するかのどちらかによって変更できる。
最近の調査によると、電子ビーム蒸着と統計的工程管理（SPC）は、ソーラーグレードのポリシリコン薄膜を製造するために費用対効果が高く、迅速な代替手法になることが示されている（SPCは必要な時のみ）。
そのような方法で製造された太陽電池モジュールは、6%以下の変換効率であることが示されている。
ポリシリコンのドーピングが必要であれば、堆積プロセスの間に行う。大抵、ホスフィン、アルシン、あるいはジボランを添加する。
ホスフィンあるいはアルシンを添加すると堆積が遅くなり、ジボランを添加すると堆積速度が速くなる。
ドーパントが堆積中に添加されると、堆積の厚みの均一性は通常悪化する。

### シーメンス法（Siemens process）
シーメンス法は、ポリシリコンの製造で最も一般的に使われる方法である。特に電子産業において、2005年現在世界生産の75%近くがこの方法を使っている。
この方法はMG SiをSiHCl3へ変換し、反応器の中でポリシリコンになる。このように遷移金属とドーパントのような不純物を除去する。
このプロセスは、比較的高価で時間がかかる。

## 改良型冶金グレードシリコン（Upgraded metallurgical-grade silicon）
改良型冶金グレード（UMG : Upgraded metallurgical-grade）シリコン（UMG-Siとしても知られる）の太陽電池は、シーメンス法によって作られるポリシリコンに対する安価な代替品として製造されている。
UMG-Siは、シーメンス法よりも少ない装置と少ないエネルギーしか必要としない様々な方法で不純物を大幅に削減している。
UMG-Siの純度はソーラーグレードシリコンと同程度である。それはポリシリコンと比べて3桁以上少ない低い純度であり、ポリシリコンよりも10倍以上安い（2005年から2008年までUMG-Siは、1kg当たり$1.70から$3.20である。ポリシリコンは、1kg当たり$40から$400である）。
UMG-Siは、従来の太陽電池と同程度の性能のものを効率的に供給できる潜在力を持つ。ポリシリコンの太陽電池と比べて、UMG-Siのための設備投資は1/5、必要なエネルギーは半分、そして1kg当たり$15未満の価格で供給できる。
2008年において、いくつかの企業がUMG-Siの潜在力を喧伝していた。しかし、2010年に金融危機がポリシリコンの価格を大幅に下げたので、いくつかのUMG-Si製造者はその計画を保留した。
シーメンス法は、より効率的にシーメンス法を実現することによって来たるべき数年間の生産における支配的な手法であり続けるだろう。
GT Solar社は、新しいシーメンス法が1kg当たり$27で製造を可能にし、5年以内に1kg当たり$20に到達すると主張している。
GCL-Poly社は、生産コストが2011年の終わりに1kg当たり$20になると予想している。
Elkem Solar社は、UMG-Siのコストが1kg当たり$25になり、2010年の終わりに6,000トンの製造能力を有すると見積もっている。
Calisolar社は、ホウ素が0.3 ppm、リンが0.6 ppm含まれているUMG-Siの製造技術が5年以内に1kg当たり$12になると予想している。
1kg当たり$50かつ出力1W当たり7.5 gの太陽電池モジュールの製造者は、ポリシリコンのために出力1W当たり$0.37を費やしている。
比較として、テルル化カドミウム（CdTe）製造者は、テルルのためにスポット価格（2010年4月に1kg当たり$420）で支払いを行なっており、厚さ3マイクロメートルのテルル化カドミウムはポリシリコンの10倍以上安い出力1W当たり$0.037に過ぎない。
銀を出力1W当たり0.1 g使用し、銀1オンス当たり$31の場合、ポリシリコン製造者は、銀のために出力1W当たり$0.10を費やしている。
Q-Cells社、Canadian SolarそしてCalisolar社は、Timminco社のUMG技術を使ってきた。
Timmincoは、0.5 ppmのホウ素を含んだUMG-Siを1kg当たり$21で製造することができる。しかし、株主は1kg当たり$10を期待していたので、株主はTimmincoを相手に訴訟を起こした。
RSI (Rainbow Solar Inc.)とDow Corningも、UMG-Si技術に関する件で訴訟中である。

## 多結晶シリコンの用途の潜在性
現在、ポリシリコンは一般的にMOSFETのような半導体デバイスの導電ゲート金属として使われている。しかしながら、大型の太陽電池デバイスのための潜在力を有している。
シリコンの豊富さ、安定性、そして低い毒性が、ポリシリコンの単結晶シリコンよりも低コストであることと相まって、ポリシリコンが太陽電池生産にとって魅力的なものになる。
粒子の大きさは、ポリシリコン太陽電池の効率に影響することが示されている。
太陽電池セルの効率は、粒子が大きいほど増大する。
粒子が大きいと太陽電池セルの中のキャリアの再結合を減らすことができるからである。
キャリアの再結合（太陽電池の中の電流を制限する要因である）は、粒界でより多く発生する。
単結晶シリコンの抵抗力、移動度、そして自由キャリア密度は、単結晶シリコンのドーピング濃度とともに変化する。
多結晶シリコンのドーピングは、抵抗力、移動度、そして自由キャリア密度において影響を及ぼすが、これらの特性は多結晶シリコンの粒子の大きさに強く依存し、材料科学者は粒子の大きさという物理パラメーターを操ることができる。
多結晶シリコンを形成する結晶化方法を通じて、技術者は多結晶シリコンの粒子の大きさを制御できる。粒子の大きさは、材料の物理特性を変化させる。

## 多結晶シリコンのための斬新なアイデア
太陽電池の製造に多結晶シリコンを使うと、必要な材料が少なくて済む。そのため、高い利益を得ることができ、製造スループットを向上できる。
太陽電池を形成するために多結晶シリコンをシリコンウェハーの上に堆積する必要はなく、むしろ他の安い物質に堆積させることもできるので、コストを削減できる。
シリコンウェハーを必要としないことでマイクロエレクトロニクス産業がたまに直面するシリコン不足を軽減できる。
シリコンウェハーを使わない例として、ガラス上の結晶化シリコン（CSG : crystalline silicon on glass）が挙げられる。
太陽電池産業における一番の関心事はセルの効率である。
しかしながら、セルの製造において十分なコスト削減をすることは、屋外での効率低下と相殺できる。より大きな太陽電池セルの配列を使うことはより小型で効率の良い設計と同等になる。
CSGのような設計は魅力的である。効率が落ちても低コストで生産できるからである。
より効率の良いデバイスは、占有する設置場所を減らし、より小型のモジュールを生み出す。しかしながら、一般的なCSGデバイスの5%から10%の効率は、発電所のような大規模な中央サービスステーションに設置する場合に未だに魅力的である。
効率とコストの対立の問題は、エネルギー密度の高い太陽電池セルを必要とするか、あるいはより安価な代替物の設置を可能とする十分な場所があるかの価値観の決断である。
例えば、遠隔地の発電に使われる太陽電池セルは、低電力用途で使われるもの（太陽電池アクセント照明、ポケット電卓、あるいは確立された送電網の近くで使う太陽電池）よりもさらに効率の高い太陽電池セルを必要とする。

## ポリシリコン製造企業

### 生産能力
2013年の国毎のポリシリコン生産量（企業の本社がある国が基準、工場のある場所ではない）。全世界で227,000トンである。
ポリシリコン製造市場は、急速に成長している。
2011年7月のDigiTimesによると、2010年の総ポリシリコン生産量は、209,000トンであった。
最大の供給企業は、市場の64%を占めており、その一方で中国を拠点とするポリシリコン企業は市場シェアの30%を占めている。
総生産は2011年の終わりまでに37.4%増えて281,000トンになると思われる。
EE Timesアジアは、2012年に196,000トンしか需要がないのに328,000トンが生産され、スポット価格は56%へ下落すると予想している。
再生可能エネルギーの展望として良いことであり、価格の連続する下落は、製造企業にとって厳しいことである。
2012年終盤現在、SolarIndustryMagは、2012年末までに生産量が385,000トンに達すると報告している。
しかし、確立した製造企業（後述）がその生産能力を拡大していると同時に新規参入企業（多くはアジア企業）が、市場に入ってくる。
ポリシリコン市場の老舗企業ですら最近は製造プラントを拡大するのは難しい。
ここ数ヶ月のスポット価格の急激な下落の後でどの企業が利益を十分に出しながら低コストで製造をすることができるのかは未だに不透明である。

### 主な製造企業
ワッカー・ケミーは、総合的な超高純度ポリシリコン生産能力を2014年までに67,000トンに増やすことを計画してきた。クリーブランド (テネシー州)に建設された新しいポリシリコン製造工場は、一年間に15,000トンの生産能力を有している。
| 2013年の上位ポリシリコン生産企業（市場シェアにおける%）                                                                              | 2013年の上位ポリシリコン生産企業（市場シェアにおける%） | 2013年の上位ポリシリコン生産企業（市場シェアにおける%） | 2013年の上位ポリシリコン生産企業（市場シェアにおける%） |
| ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ | ------------------------------------------------------- | ------------------------------------------------------- | ------------------------------------------------------- |
| GCL-Poly Energy                                                                                | 中国                                                    | 65,000 トン                                             | 22%                                                     |
| ワッカー・ケミー                                                                                | ドイツ                                                  | 52,000 トン                                             | 17%                                                     |
| OCI                                                                                | 韓国                                                    | 42,000 トン                                             | 14%                                                     |
| ヘムロック・セミコンダクター                                                                                | アメリカ合衆国                                          | 36,000 トン                                             | 12%                                                     |
| REC                                                                                | ノルウェー                                              | 21,500 トン                                             | 7%                                                      |
| 情報源: Market Realistは、2013年に全世界で30万トンの生産能力があると言及した。 BNEFは2013年に年間227,000トンの生産になると予想した。 |                                                         |                                                         |                                                         |

その他の製造企業
- LDK Solar (2010年: 15,000トン)[39] 中国
- トクヤマ (2009年: 8,000トン、2013年: 1万1000トン、2015年: 3万1000トン[40])[41][42] 日本
- MEMC/SunEdison (2010年: 8,000トン、2013年: 1万8,000トン)[43][44] アメリカ合衆国
- Hankook Silicon (2011年: 3200トン、 2013年: 1万4500トン)[45] 韓国
- Nitol Solar (2011年: 5,000トン) [46] ロシア
- 三菱マテリアルポリシリコン (2008年: 4,300トン)[47] 日本
- 大阪チタニウムテクノロジーズ (2008年: 4,200トン)[47] 日本
- 大全 (Daqo) (2011年: 4,300トン, さらに年間3,000トンの工場を建設中)[48] 中国
- 北京利爾高温材料 (Beijing Lier High-temperature Materials Co.) (2012年: 5,000トン)[49] 中国
- Qatar Solar Technologies (ラスラフィン（英語版）) 年間8,000トンの工場を2013年に稼働すると発表している。[50] カタール

### 価格
ポリシリコンの価格は、よく2つのカテゴリーに分けられる。契約価格とスポット価格である。純度が高いほど高価になる。
太陽電池の設置が盛んになると、ポリシリコンの価格競争が起きる。
市場においてスポット価格が契約価格を超えるのはもちろんだが、それでもポリシリコンを十分に獲得するのは困難である。
バイヤーは、十分な量のポリシリコンを獲得するために頭金と長期契約を受け入れることになる。
逆に太陽電池の設置が下火になれば、スポット価格は契約価格を下回る。
2010年の終わり頃に太陽電池の設置が盛んになったので、ポリシリコンのスポット価格は上昇した。
2011年前半において、イタリアのFIT（固定価格買取制度）のおかげでポリシリコンの価格は強く維持された。
太陽電池価格の調査と市場調査の企業であるPVinsightsは、ポリシリコンの価格は2011年の後半に太陽電池の設置不足によって引きずり落とされるだろうと報告していた。
2008年の価格は、1kg当たり$200の水準から1kg当たり$400を超えた。その一方で2013年に1kg当たり$15まで下落した。

#### 不当廉売（ダンピング）
中国政府は、アメリカ合衆国と韓国の製造企業を略奪的価格設定もしくは不当廉売で告訴した。
その結果として、製品が原価以下で売られることを阻止するために2013年にこれらの2つの国から出荷されるポリシリコンに最大57%の関税を課した。

#### 余った四塩化ケイ素
中国における製造業の急激な成長と行政による監視不足が原因で余った四塩化ケイ素の廃棄が報告されている。
通常、余った四塩化ケイ素は再利用されるが、摂氏980度に加熱する必要があるので、製造企業の負担を増やすことになる。

title: 多結晶シリコン

wikitext:
[[File: Polysilicon compilation.jpg|thumb|upright=1.35|左：多結晶シリコンから作られた[[太陽電池]]。右上：多結晶シリコンの棒。右下：多結晶シリコンの断片（[[チャンク]]）]]
'''多結晶シリコン'''（たけっしょうシリコン、Polycrystalline silicon/multicrystalline silicon）は、'''ポリシリコン'''（polysilicon）、'''poly-Si''' あるいは '''mc-Si''' とも呼ばれ、高純度な[[シリコン]]の[[多結晶]]であり、[[太陽光発電]]と電子産業において原材料として使われる<ref name="tokuyama"/><ref name="yhg"/>。

多結晶シリコンは、[[ケイ素#精製|冶金グレードシリコン]]（MG-Si : metallurgical-grade silicon。純度が低いシリコン<ref name="semi-net-mg-si"/>）からシーメンス法と呼ばれる化学的な精製処理によって製造される。その処理は、揮発性シリコン化合物の[[蒸留]]と高温でのシリコンへの[[化学分解]]を含んでいる。新しい方法として、{{仮リンク|流動層反応器|en|Fluidized bed reactor}}を使う改良された方法がある。太陽光発電産業は、化学的な精製処理の代わりに冶金を使って純度を上げた改良型冶金グレードシリコン（UMG-Si : upgraded metallurgical-grade silicon）も生産する<ref name="Laura"/>。電子産業のために生産されるポリシリコンは、1 [[ppb]]未満の不純物を含んでいるが、[[ソーラーグレードシリコン]]（SoG-Si : solar grade silicon）は、一般的にそれよりも純度が低くなる。[[Golden Concord Group Limited#GCL-Poly|GCL-Poly]]、[[:en:Wacker Chemie|Wacker Chemie]]、[[トクヤマ]]、[[:en:OCI (company)|OCI]]、そして[[:en:Hemlock Semiconductor Corporation|Hemlock Semiconductor]]のような中国、ドイツ、日本、韓国、そしてアメリカ合衆国の企業および[[:en:Renewable Energy Corporation|REC]]（ノルウェー発祥）は、2013年に全世界で23万トンの生産量を計上した<ref name="BNEF polysilicon-production-2013" />。

原材料としてのポリシリコン（大きな棒状であり、大抵は特定の大きさのチャンクに砕かれる。そして、出荷前にクリーンルームの中で梱包される）は、直接多結晶[[:en:Ingot|インゴット]]へ形成される、あるいは、単結晶[[:en:Boule (crystal)|ブール]]に成長させるために再結晶化プロセスに送られる。
そして、ブールは、薄いシリコン[[ウェハー]]にスライスされ、[[太陽電池]]、[[集積回路]]、そしてその他の[[半導体デバイス]]に使われる。

ポリシリコンは、小さな[[結晶]]（[[:en:Crystallite|晶子]]としても知られる）の集まりであり、それらの結晶は[[結晶粒界]]をもたらす。結晶粒界によって、金属フレーク効果（metal flake effect）が発生し、ポリシリコンの中に金属の断片が散りばめられたように見える。
ポリシリコン（Polysilicon）とマルチシリコン（multisilicon）は、類義語としてよく使われる。その一方で multicrystalline（多結晶の意）は、1ミリメートルより大きい結晶に対してよく使われる<ref name="pveducation"/>。

多結晶シリコン太陽電池は、[[:en:Growth of photovoltaics|急速に成長する太陽光発電市場]]における最も一般的な種類の太陽電池であり、全世界で生産されるポリシリコンの大半を消費する。
従来の1メガワットの太陽電池モジュールを製造するために約5トンのポリシリコンを必要とする<ref name="polysilicon-marketrealist" />。
ポリシリコンは、[[ケイ素|単結晶シリコン]]や[[アモルファスシリコン]]と明確に異なったものである。

== 多結晶シリコン 対 単結晶シリコン ==
[[File:Comparison solar cell poly-Si vs mono-Si.png|thumb|多結晶シリコン太陽電池（左）と単結晶シリコン太陽電池（右）の比較]]

単結晶シリコン（single-crystal silicon / [[:en:monocrystalline silicon|monocrystalline silicon]]）において、結晶構造は均一であり、見た目の色が均一であることによって区別できる<ref name="Solar ABC"/>。
その[[結晶構造]]は、[[結晶粒界]]がないので、全体が単結晶であり、結晶が連続しており、結晶が壊れていない。
大きな単結晶は自然において極めて珍しく、研究所で作ることも難しい（[[:en:Recrystallization (chemistry)]]も参照）。
それと対照的に[[アモルファス]]構造において、原子配置の秩序は短い範囲に制限される。

多結晶と[[:en:paracrystalline|パラクリスタル]]（準結晶）の相は、多くの小さな結晶あるいは晶子から構成される。
多結晶シリコン（半結晶シリコン、ポリシリコン、ポリSi、あるいは単純に「ポリ」）は、複数の小さなシリコン結晶から成る物質である。
多結晶セルは、「金属フレーク効果」と呼ばれる目に見える大きさの粒によって識別できる。
半導体グレード（あるいは[[ソーラーグレードシリコン|ソーラーグレード]]）多結晶シリコンは、単結晶シリコンへ変換される。つまり、ランダムに結合した多結晶シリコンのシリコン晶子は、大きな[[単結晶]]へ変換されるということである。
単結晶シリコンは、シリコンでできた[[マイクロエレクトロニクス]]素子のほとんどを製造するのに使われる。

超高純度ポリシリコン（純度99.999999999%<ref name="tokuyama"/>）は、[[半導体]]産業で使われ、長さ2mから3mのポリシリコンのロッドから製造される。
[[マイクロエレクトロニクス]]産業（半導体産業）において、ポリシリコンはマクロスケールとマイクロスケール（成分）の両方の段階で使用される。
単結晶は[[チョクラルスキー法]]、[[ゾーンメルト法]]そして[[:en:Bridgman–Stockbarger method|ブリッジマン・ストックバッカー法]]を使って成長される。

== 部品として使われる多結晶シリコン ==

{{unreferenced section|date=January 2014}}

部品レベルで考えると、ポリシリコンは[[MOSFET]]や[[CMOS]]の製造工程において伝導性のあるゲート物質として長らく使われてきた<ref name="USJC"/>。
これらの技術のために低圧[[化学気相成長]]（LPCVD : low-pressure chemical-vapour deposition）反応器を使ってポリシリコンを成長させる<ref name="USJC"/>。成長されるポリシリコンは、大抵高濃度に[[ドープ]]された[[n型半導体]]や[[p型半導体]]である。

近年、そのままのポリシリコンと[[ドープ]]されたポリシリコンが薄膜におけるアクティブ層やドープされた層として[[:en:large-area electronics|大面積エレクトロニクス]]で使われている。
ポリシリコンは低圧[[化学気相成長]]（LPCVD）によって成長させることができるが、プラズマ化学気相成長法（PECVD : plasma-enhanced chemical vapour deposition）あるいは特定の処理方法において[[アモルファスシリコン]]の固相結晶化を使うこともできる。これらの工程は少なくとも摂氏300度の高温を必要とする。
これらの温度においてガラス基板上でポリシリコンを堆積することが可能であるが、プラスチック基板上で成長させることはできない。

プラスチック基板上の多結晶シリコンの成長は、フレキシブルスクリーン（曲げられる画面）のデジタル表示装置を製造できるということで期待されている。
それゆえにプラスチックを溶かしたり損傷しないようにプラスチック基板上で前駆体アモルファスシリコン（a-Si）を結晶化するためにレーザー結晶化という比較的新しい技術が考案された。
短周期かつ高密度の[[紫外線#紫外線の波長ごとの特徴|極端紫外線]][[レーザー]]パルスは、基板全体を溶かさないように成長させたa-Siを溶かしたい部分だけ加熱するために使われる。

[[Image:Silicon poly 640x480.jpg|thumb|left|多結晶シリコン（[[チョクラルスキー法]]によってシリコン[[単結晶]]を製造するのに使われる）]]

溶かされたシリコンは、冷えるに従って結晶化する。
温度勾配を精密に制御することによって、非常に大きな粒に成長させることができる。極端な場合、数百マイクロメートルまで成長できるが、10ナノメートルから1マイクロメートル程度の大きさが一般的である。
しかしながら、広い面積に渡ってポリシリコン上にデバイスを作るために、デバイスの形状よりも結晶の粒が小さいことがデバイスの均一性のために必要とされる。
低温でポリシリコンを生成するもう一つの方法は、金属誘起結晶化（metal-induced crystallization）である。
その方法において、アルミニウム、金、あるいは銀のような他の金属膜と接触させながら焼き入れるとアモルファスシリコンの薄膜を摂氏150度程度の低温で結晶化させることができる。

ポリシリコンは、[[VLSI]]の製造において多くの用途がある。
主な用途の一つは、MOSデバイスのためのゲート電極物質としてである。
ポリシリコンのゲートの[[電気伝導率]]は、ゲート上に金属（タングステンのようなもの）あるいは金属シリサイド（タングステンシリサイドのようなもの）を堆積することによって増大する可能性がある。
ポリシリコンは、抵抗器、導電体、あるいはシャロージャンクション<ref name="nissin-ion"/>として使用される可能性もある。シャロージャンクションにおいて、ポリシリコン物質にドーピングを行うことによって得られた期待された電気伝導率を利用する。

ポリシリコンと[[アモルファスシリコン]]（a-Si）の主な違いは、ポリシリコンの[[電荷担体]]の移動度が10のべき乗倍大きく[[電界]]と光によるストレスにおいてより高い安定性を示すことである。
このことは、より複雑でより高速な電子回路をアモルファスシリコンと一緒にガラス基板上に作成することを可能にする。
ポリシリコンとアモルファスシリコンが同じ製造過程で使われるとき、ハイブリッドプロセッシングと呼ばれる。
小さな画素の大きさが必要とされるいくつかの事例（例えば、[[LCOS|液晶プロジェクタ]]）で完全なポリシリコン活性層プロセス（complete polysilicon active layer process）も使用される。

=== 太陽光発電産業のための原材料 ===

{{Main|:en:Crystalline silicon}}

多結晶シリコンは、太陽光発電産業おける結晶シリコンの重要な原材料であり、従来型の[[太陽電池]]の製造に使われる。
2006年代の初め頃、ポリシリコンの世界供給量の半分以上は、太陽電池製造企業によって消費されていた<ref name="nyecospaces"/>。
太陽電池はポリシリコン原材料の[[:en:Growth of photovoltaics#Silicon shortage (2005–2008)|供給不足]]によって厳しく制限され、2007年において太陽電池セルとモジュールの製造能力の約1/4を稼働しないように強制された<ref name="wsj"/>。
2008年において、12の工場だけが[[ソーラーグレードシリコン]]を製造していた。しかしながら、2013年までに製造企業の数は100以上に増加した<ref name="enfsolar"/>。
単結晶シリコンはチョクラルスキー法によって再結晶化されているので、ポリシリコンよりも高価でより効率の良い半導体である。

== 堆積法（Deposition methods） ==

ポリシリコン堆積、あるいは半導体ウェハー上に多結晶シリコンの層を堆積する工程は、摂氏580度から650度までの高温における[[シラン (化合物)|シラン]] (SiH4) の[[化学分解]]によって実現されている。
この熱分解処理は、シリコンから水素を放出する。摂氏500度から800度の[[化学気相成長]]<ref name="Morgan&Board"/>によって行われる。
:{{chem|SiH|4}}(g) → Si(s) + 2 {{chem|H|2}}(g)
ポリシリコンの層は、{{convert|25|-|130|Pa|Torr|abbr=on}}の圧力において100%のシランを使って堆積させることができる。あるいは、同一の圧力下で窒素で薄めた20%から30%のシランを使うこともできる。
これらのプロセスは両方とも一度に10枚から200枚のウェハー上にポリシリコンを堆積することができる。1分間に10nmから20nmの堆積を行うことができ、厚みは±5%の範囲で均一になる。
ポリシリコン堆積におけるこのプロセスの重要な変数は、温度、圧力、シラン濃度、そして不純物濃度である。
ウェハーの間隔と大きさは、堆積プロセスにおいてわずかな影響しか及ぼさない。
ポリシリコンの堆積速度は、温度を上げると大きくなる。それは[[アレニウスの式]]に従うので、堆積速度＝ A·exp(–qEa/kT)である。ここでqは電荷であり、kは[[ボルツマン定数]]である。
ポリシリコン堆積のための活性化エネルギー（Ea）は、約1.7 eVである。
この数式に基づくと、ポリシリコン堆積速度は、堆積温度の上昇とともに増加する。
しかしながら、未反応のシランが表面に到達する速度よりも堆積速度が速くなる最低温度が存在する。
この温度を超えると、ポリシリコンを生成するシランの不足によって堆積速度はもはや温度とともに上昇できない。
そのような反応は、物質転送制限（mass-transport-limited）と言われている。
ポリシリコンの堆積プロセスが物質転送制限になったとき、[[反応速度]]（reaction rate）は主に反応物質濃度、反応器形状、そしてガスの流量に主に依存するようになる。

ポリシリコンの堆積が生じる速度が未反応のシランがウェハー表面に到達する速度よりも遅いとき、それは表面反応制限（surface-reaction-limited）と呼ばれる。
表面反応制限になっている堆積プロセスは、主に反応物質濃度と反応温度に依存する。
堆積プロセスは、表面反応制限にしないといけない。なぜなら、良好な厚みの均一性とステップカバレッジ（step coverage）<ref name="SEMI-NET"/>を実現できるからである。
表面反応制限領域における絶対温度の逆数に対して堆積速度を対数で描画すると直線になる。その傾きは–qEa/kに等しい。

VLSI製造のための低い圧力レベルにおいて、摂氏575度未満のポリシリコン堆積速度は、実用にするには遅すぎる。
摂氏650度を超えると、望ましくない気相反応とシランの枯渇が原因で堆積の均一性は悪化し、非常に荒い堆積になる。
低圧力の反応器の内部における圧力を変更することができる。ポンプの速度を変えるか、反応器の入口のガスの流量を変えるかのどちらかよって圧力を変更できる。
もしも入口のガスがシランと窒素から構成されるならば、入口のガス流量、従って反応器の圧力を変更できる可能性がある。一定のシラン流量における窒素流量の変更をするか、あるいはガス比率を一定に保ちつつ合計のガス流量を変更するために窒素とシランの両方の流量を変更するかのどちらかによって変更できる。
最近の調査によると、電子ビーム蒸着と統計的工程管理（SPC）は、[[ソーラーグレードシリコン|ソーラーグレード]]のポリシリコン薄膜を製造するために費用対効果が高く、迅速な代替手法になることが示されている（SPCは必要な時のみ）<ref name="Becker"/>。
そのような方法で製造された太陽電池モジュールは、6%以下の変換効率であることが示されている<ref name="IEEE2010"/>。

ポリシリコンのドーピングが必要であれば、堆積プロセスの間に行う。大抵、[[ホスフィン]]、[[アルシン]]、あるいは[[ジボラン]]を添加する。
ホスフィンあるいはアルシンを添加すると堆積が遅くなり、ジボランを添加すると堆積速度が速くなる。
[[ドーパント]]が堆積中に添加されると、堆積の厚みの均一性は通常悪化する。

=== シーメンス法（Siemens process） ===

[[File:Silicon purification processes.svg|thumb|従来のシーメンス法（左）と{{仮リンク|流動層反応器|en|Fluidized bed reactor}}による精製プロセス（右）の概念図]]

シーメンス法は、ポリシリコンの製造で最も一般的に使われる方法である。特に電子産業において<ref name="Boer2012"/>、2005年現在世界生産の75%近くがこの方法を使っている<ref name="Petrova-Koch2009"/>。

この方法は[[ケイ化マグネシウム|MG Si]]を[[トリクロロシラン|SiHCl3]]へ変換し、[[反応器]]の中でポリシリコンになる。このように[[遷移金属]]と[[ドーパント]]のような不純物を除去する。
このプロセスは、比較的高価で時間がかかる<ref name="Boer2012" />。

== 改良型冶金グレードシリコン（Upgraded metallurgical-grade silicon） ==

改良型冶金グレード（UMG : Upgraded metallurgical-grade）シリコン（UMG-Siとしても知られる）の太陽電池は、[[シーメンス法]]によって作られるポリシリコンに対する安価な代替品として製造されている。
UMG-Siは、シーメンス法よりも少ない装置と少ないエネルギーしか必要としない様々な方法で不純物を大幅に削減している<ref name="glgroup"/><ref name="pv-manufacturing"/>。
UMG-Siの純度は[[ソーラーグレードシリコン]]と同程度である<ref name="pv-manufacturing"/>。それはポリシリコンと比べて3桁以上少ない低い純度であり、ポリシリコンよりも10倍以上安い（2005年から2008年までUMG-Siは、1kg当たり$1.70から$3.20である。ポリシリコンは、1kg当たり$40から$400である）。
UMG-Siは、従来の太陽電池と同程度の性能のものを効率的に供給できる潜在力を持つ。ポリシリコンの太陽電池と比べて、UMG-Siのための設備投資は1/5、必要なエネルギーは半分、そして1kg当たり$15未満の価格で供給できる<ref name="guntherportfolio"/>。

2008年において、いくつかの企業がUMG-Siの潜在力を喧伝していた。しかし、2010年に金融危機がポリシリコンの価格を大幅に下げたので、いくつかのUMG-Si製造者はその計画を保留した<ref name="guntherportfolio"/><ref name="timminco"/>。
シーメンス法は、より効率的にシーメンス法を実現することによって来たるべき数年間の生産における支配的な手法であり続けるだろう。
GT Solar社は、新しいシーメンス法が1kg当たり$27で製造を可能にし、5年以内に1kg当たり$20に到達すると主張している。
GCL-Poly社は、生産コストが2011年の終わりに1kg当たり$20になると予想している<ref name="solarserver"/>。
Elkem Solar社は、UMG-Siのコストが1kg当たり$25になり、2010年の終わりに6,000トンの製造能力を有すると見積もっている。
Calisolar社は、ホウ素が0.3 ppm、リンが0.6 ppm含まれているUMG-Siの製造技術が5年以内に1kg当たり$12になると予想している<ref name="bernreuter"/>。
1kg当たり$50かつ出力1W当たり7.5 gの太陽電池モジュールの製造者は、ポリシリコンのために出力1W当たり$0.37を費やしている。
比較として、[[テルル化カドミウム]]（CdTe）製造者は、[[テルル]]のためにスポット価格（2010年4月に1kg当たり$420）で支払いを行なっており、厚さ3マイクロメートルのテルル化カドミウムはポリシリコンの10倍以上安い出力1W当たり$0.037に過ぎない。
銀を出力1W当たり0.1 g使用し、銀1オンス当たり$31の場合、ポリシリコン製造者は、銀のために出力1W当たり$0.10を費やしている<ref name="virtualmetals"/>。

Q-Cells社、Canadian SolarそしてCalisolar社は、Timminco社のUMG技術を使ってきた。
Timmincoは、0.5 ppmのホウ素を含んだUMG-Siを1kg当たり$21で製造することができる。しかし、株主は1kg当たり$10を期待していたので、株主はTimmincoを相手に訴訟を起こした<ref name="bernreuter2"/>。
RSI (Rainbow Solar Inc.)とDow Corningも、UMG-Si技術に関する件で訴訟中である<ref name="guntherportfolio2"/>。

== 多結晶シリコンの用途の潜在性 ==

[[File:grain boundary diagram.jpg|frame|right|
ポリシリコンの[[結晶粒界]]の図。各粒子は粒子全体に渡って結晶である。結晶粒界は、粒子を区切っている。隣接する粒子は隣の粒子と異なった方向を向いている。結晶粒界は、異なる結晶の領域を区切っているとも言える。このように[[キャリア生成と再結合|キャリアの再結合]]の中心として機能する。ここで'd'は粒子固有の大きさである。太陽電池の効率を最大にするために粒子の大きさも最大にするべきである。dの典型的な値は、1マイクロメートルである。]]

現在、ポリシリコンは一般的に[[MOSFET]]のような半導体デバイスの導電ゲート金属として使われている。しかしながら、大型の太陽電池デバイスのための潜在力を有している<ref name="streetman"/><ref name="Ghosh"/>。
シリコンの豊富さ、安定性、そして低い毒性が、ポリシリコンの単結晶シリコンよりも低コストであることと相まって、ポリシリコンが太陽電池生産にとって魅力的なものになる<ref name="Ghosh"/>。
粒子の大きさは、ポリシリコン太陽電池の効率に影響することが示されている。
太陽電池セルの効率は、粒子が大きいほど増大する。
粒子が大きいと太陽電池セルの中のキャリアの再結合を減らすことができるからである。
キャリアの再結合（太陽電池の中の電流を制限する要因である）は、粒界でより多く発生する<ref name="Ghosh"/>。

単結晶シリコンの抵抗力、移動度、そして自由キャリア密度は、単結晶シリコンのドーピング濃度とともに変化する。
多結晶シリコンのドーピングは、抵抗力、移動度、そして自由キャリア密度において影響を及ぼすが、これらの特性は多結晶シリコンの粒子の大きさに強く依存し、材料科学者は粒子の大きさという物理パラメーターを操ることができる<ref name="Ghosh"/>。
多結晶シリコンを形成する結晶化方法を通じて、技術者は多結晶シリコンの粒子の大きさを制御できる。粒子の大きさは、材料の物理特性を変化させる。

== 多結晶シリコンのための斬新なアイデア ==

太陽電池の製造に多結晶シリコンを使うと、必要な材料が少なくて済む。そのため、高い利益を得ることができ、製造スループットを向上できる。
太陽電池を形成するために多結晶シリコンをシリコンウェハーの上に堆積する必要はなく、むしろ他の安い物質に堆積させることもできるので、コストを削減できる。
シリコンウェハーを必要としないことでマイクロエレクトロニクス産業がたまに直面するシリコン不足を軽減できる<ref name="Basore"/>。
シリコンウェハーを使わない例として、ガラス上の結晶化シリコン（CSG : crystalline silicon on glass）が挙げられる<ref name="Basore"/>。

太陽電池産業における一番の関心事はセルの効率である。
しかしながら、セルの製造において十分なコスト削減をすることは、屋外での効率低下と相殺できる。より大きな太陽電池セルの配列を使うことはより小型で効率の良い設計と同等になる。
CSGのような設計は魅力的である。効率が落ちても低コストで生産できるからである<ref name="Basore"/>。
より効率の良いデバイスは、占有する設置場所を減らし、より小型のモジュールを生み出す。しかしながら、一般的なCSGデバイスの5%から10%の効率は、発電所のような大規模な中央サービスステーションに設置する場合に未だに魅力的である<ref name="Basore"/>。
効率とコストの対立の問題は、エネルギー密度の高い太陽電池セルを必要とするか、あるいはより安価な代替物の設置を可能とする十分な場所があるかの価値観の決断である。
例えば、遠隔地の発電に使われる太陽電池セルは、低電力用途で使われるもの（太陽電池[[:en:accent lighting|アクセント照明]]、ポケット電卓、あるいは確立された送電網の近くで使う太陽電池）よりもさらに効率の高い太陽電池セルを必要とする。

== ポリシリコン製造企業 ==

=== 生産能力 ===

{{Pie chart
| thumb =right
| caption =2013年の国毎のポリシリコン生産量（企業の本社がある国が基準、工場のある場所ではない）。全世界で227,000トンである<ref name="BNEF polysilicon-production-2013" />。
| label1 =中国
| value1 =36.1
| color1 =#de2821
| label2 =アメリカ合衆国
| value2 =25.9
| color2 =#3325B1
| label3 =韓国
| value3 =11.4
| color3 =#ef8e39
| label4 =ドイツ
| value4 =21.6
| color4 =#009a39
| label5 =日本
| value5 =4.9
| color5 =pink
}}

[[Image:Chemical Processing Equipment at a Poly-Silicon Plant.JPG|thumb|upright=0.8|P.S.T.(Polycrystalline Silicon Technology Corporation)の化学処理プラント]]

ポリシリコン製造市場は、急速に成長している。
2011年7月の[[:en:DigiTimes|DigiTimes]]によると、2010年の総ポリシリコン生産量は、209,000トンであった。
最大の供給企業は、市場の64%を占めており、その一方で中国を拠点とするポリシリコン企業は市場シェアの30%を占めている。
総生産は2011年の終わりまでに37.4%増えて281,000トンになると思われる<ref name="digitimes"/>。
[[:en:EE Times|EE Times]]アジアは、2012年に196,000トンしか需要がないのに328,000トンが生産され、スポット価格は56%へ下落すると予想している。
再生可能エネルギーの展望として良いことであり、価格の連続する下落は、製造企業にとって厳しいことである<ref name="eetasia"/>。
2012年終盤現在、SolarIndustryMagは、2012年末までに生産量が385,000トンに達すると報告している<ref name="solarindustrymag"/>。

しかし、確立した製造企業（後述）がその生産能力を拡大していると同時に新規参入企業（多くはアジア企業）が、市場に入ってくる。
ポリシリコン市場の老舗企業ですら最近は製造プラントを拡大するのは難しい。
ここ数ヶ月のスポット価格の急激な下落の後でどの企業が利益を十分に出しながら低コストで製造をすることができるのかは未だに不透明である<ref name="Commerzbank"/><ref name="Citigroup"/>。

===主な製造企業===

{{仮リンク|ワッカー・ケミー|en|Wacker Chemie}}は、総合的な超高純度ポリシリコン生産能力を2014年までに67,000トンに増やすことを計画してきた。[[クリーブランド (テネシー州)]]に建設された新しいポリシリコン製造工場は、一年間に15,000トンの生産能力を有している<ref name="wacker"/><ref name="presseportal"/>。

{| class="wikitable"
|-
! colspan=4 | 2013年の上位ポリシリコン生産企業（市場シェアにおける%）
|-
| [[Golden Concord Group Limited|GCL-Poly Energy]] || 中国 || 65,000 トン || align=center | 22%
|-
| [[:en:Wacker Chemie|ワッカー・ケミー]] || ドイツ || 52,000 トン || align=center | 17%
|-
| [[:en:OCI (company)|OCI]] || 韓国 || 42,000 トン || align=center | 14%
|-
| [[:en:Hemlock Semiconductor Corporation|ヘムロック・セミコンダクター]] || アメリカ合衆国 || 36,000 トン || align=center | 12%
|-
| [[:en:Renewable Energy Corporation|REC]] || ノルウェー || 21,500 トン || align=center | 7%
|-
! colspan=4 style="font-weight: normal; font-size: 0.85em; text-align: left; padding: 6px 2px 4px 4px;" | ''情報源:'' Market Realistは、2013年に全世界で30万トンの生産能力があると言及した<ref name="polysilicon-marketrealist"/>。
BNEFは2013年に年間227,000トンの生産になると予想した<ref name="BNEF polysilicon-production-2013"/>。
|}

; その他の製造企業

*''[[:en:LDK Solar|LDK Solar]]'' (2010年: 15,000トン)<ref>{{cite web|url=http://www.ldksolar.com/Polysilicon+Overview.html|title=404 Not Found|website=www.ldksolar.com|access-date=10 April 2018}}</ref> 中国
*''[[トクヤマ]]'' (2009年: 8,000トン、2013年: 1万1000トン、2015年: 3万1000トン<ref>[http://www.solarserver.com/solar-magazine/solar-news/current/2011/kw19/tokuyama-corporation-to-construct-new-polysilicon-plants-in-japan-and-malaysia.html Solarserver | Das Internetportal für erneuerbare Energien]</ref>)<ref>{{cite web |url=http://www.tokuyama.co.jp/eng/company/business/specialtyproducts/electronic.html |title=TOKUYAMA:About Us:Business Activities:Specialty Products Business Division:Electronic Materials |access-date=2011-04-03 |archive-url=https://web.archive.org/web/20110406230130/http://www.tokuyama.co.jp/eng/company/business/specialtyproducts/electronic.html |archive-date=2011-04-06 |url-status=dead }}</ref><ref>{{cite web |url=http://www.tokuyama.co.jp/eng/ir/report/briefing/pdf/2011mar_2ndQ_setsumeikai_e.pdf |title=Archived copy |access-date=2011-04-03 |archive-url=https://web.archive.org/web/20101215165243/http://www.tokuyama.co.jp/eng/ir/report/briefing/pdf/2011mar_2ndQ_setsumeikai_e.pdf |archive-date=2010-12-15 |url-status=dead }}</ref> 日本
*''[[:en:SunEdison|MEMC/SunEdison]]'' (2010年: 8,000トン、2013年: 1万8,000トン)<ref>{{cite web|url=http://www.memc.com/index.php?view=About-MEMC|title=404 - Page Not Found : SunEdison Semiconductor|website=www.memc.com|access-date=10 April 2018}}</ref><ref>{{cite web|url=http://www.chemicalonline.com/article.mvc/Samsung-Fine-Chemicals-And-MEMC-Sign-0001|title=Samsung Fine Chemicals And MEMC Sign Polysilicon Joint Venture Agreement|website=www.chemicalonline.com|access-date=10 April 2018}}</ref> アメリカ合衆国
*''Hankook Silicon'' (2011年: 3200トン、 2013年: 1万4500トン)<ref>[http://www.solarserver.com/solar-magazine/solar-news/current/2011/kw15/hankook-silicon-achieves-3200-mty-polysilicon-production-at-yesou-korea-plant.html Solarserver | Das Internetportal für erneuerbare Energien]</ref> 韓国
*''[[:en:Nitol Solar|Nitol Solar]]'' (2011年: 5,000トン) <ref>{{Cite web |date=Nov 2010 |title=Nitol Solar |url=http://rustec.asu.edu/docs/nitol_solar.pdf |url-status=live |archive-url=https://web.archive.org/web/20230124035947/http://rustec.asu.edu/docs/nitol_solar.pdf |archive-date=January 23, 2023 |access-date=January 23, 2023 |website=RusTec |publisher=Arizona State University}}</ref> ロシア
*''[[三菱マテリアル|三菱マテリアルポリシリコン]]'' (2008年: 4,300トン)<ref name="greenrhinoenergy.com">{{cite web|url=http://www.greenrhinoenergy.com/solar/industry/ind_01_silicon.php|title=Polysilicon - Solar Value Chain|website=www.greenrhinoenergy.com|access-date=10 April 2018}}</ref> 日本
*''[[大阪チタニウムテクノロジーズ]]'' (2008年: 4,200トン)<ref name="greenrhinoenergy.com"/> 日本
*''大全 (Daqo)'' (2011年: 4,300トン, さらに年間3,000トンの工場を建設中)<ref>[http://news.businessweek.com/article.asp?documentKey=1376-LNWOBG1A74E901-18V2TMP81AU917V753QK4RH4QD ]{{dead link|date=April 2023|bot=medic}}{{cbignore|bot=medic}}</ref> 中国
*''北京利爾高温材料 (Beijing Lier High-temperature Materials Co.)'' (2012年: 5,000トン)<ref>{{cite news| url=https://www.bloomberg.com/news/2011-07-12/beijing-lier-plans-1-4-billion-yuan-polysilicon-project-in-henan.html | work=Bloomberg | title=Beijing Lier Plans 1.4 Billion Yuan Polysilicon Project in Henan | date=2011-07-12}}</ref> 中国
*''Qatar Solar Technologies'' ({{仮リンク|ラスラフィン|en|Ras Laffan}}) 年間8,000トンの工場を2013年に稼働すると発表している。<ref>[http://www.gulf-times.com/site/topics/article.asp?cu_no=2&item_no=462158&version=1&template_id=57&parent_id=56 Gulf Times Ras Laffan to get $1bn polysilicon plant]</ref> カタール

=== 価格 ===

[[File:Polysilicon prices history since 2004.svg|thumb|left|ポリシリコンのスポット価格の歴史]]

ポリシリコンの価格は、よく2つのカテゴリーに分けられる。契約価格とスポット価格である。純度が高いほど高価になる。
太陽電池の設置が盛んになると、ポリシリコンの価格競争が起きる。
市場においてスポット価格が契約価格を超えるのはもちろんだが、それでもポリシリコンを十分に獲得するのは困難である。
バイヤーは、十分な量のポリシリコンを獲得するために頭金と長期契約を受け入れることになる。
逆に太陽電池の設置が下火になれば、スポット価格は契約価格を下回る。
2010年の終わり頃に太陽電池の設置が盛んになったので、ポリシリコンのスポット価格は上昇した。
2011年前半において、イタリアのFIT（固定価格買取制度）のおかげでポリシリコンの価格は強く維持された。
太陽電池価格の調査と市場調査の企業であるPVinsights<ref name="pvinsights"/>は、ポリシリコンの価格は2011年の後半に太陽電池の設置不足によって引きずり落とされるだろうと報告していた<ref name="pr-inside"/>。
2008年の価格は、1kg当たり$200の水準から1kg当たり$400を超えた。その一方で2013年に1kg当たり$15まで下落した<ref name="digitimes2"/>。

==== 不当廉売（ダンピング） ====

中国政府は、アメリカ合衆国と韓国の製造企業を{{仮リンク|略奪的価格設定|en|Predatory pricing}}もしくは[[不当廉売]]で告訴した。
その結果として、製品が原価以下で売られることを阻止するために2013年にこれらの2つの国から出荷されるポリシリコンに最大57%の関税を課した<ref name="dumping"/>。

==== 余った四塩化ケイ素 ====

中国における製造業の急激な成長と行政による監視不足が原因で余った{{仮リンク|四塩化ケイ素|en|Silicon tetrachloride}}の廃棄が報告されている<ref name="waste"/>。
通常、余った四塩化ケイ素は[[リサイクル|再利用]]されるが、摂氏980度に加熱する必要があるので、製造企業の負担を増やすことになる。

== 関連項目 ==
{{div col|colwidth=22em}}
*[[ケイ素#精製|冶金グレードシリコン]]
*[[ウェハー]]
*[[多結晶]]
*[[:en:Nanocrystalline silicon|ナノ結晶シリコン]]
*[[アモルファスシリコン]]
*[[テルル化カドミウム]]
*[[:en:Thin-film solar cell|薄膜太陽電池]]
*[[太陽電池]]
*[[太陽光発電]]
{{div col end}}

== 出典 ==

{{Reflist|30em|refs=
<ref name="Laura">{{cite journal |last1=Méndez |first1=Laura |last2=Forniés |first2=Eduardo |last3=Garrain |first3=Daniel |last4=Pérez Vázquez |first4=Antonio |last5=Souto |first5=Alejandro |last6=Vlasenko |first6=Timur |title=Upgraded metallurgical grade silicon and polysilicon for solar electricity production: A comparative life cycle assessment |journal=Science of the Total Environment |date=1 October 2021 |volume=789 |pages=147969 |doi=10.1016/j.scitotenv.2021.147969 |pmid=34082204 |arxiv=2102.11571 |bibcode=2021ScTEn.789n7969M |s2cid=232013656 }}</ref>
<ref name="Solar ABC">{{cite web|url=http://www.solarworld.de/Solar-ABC.123.0.html?&L=1|title=Solar ABC|website=solarworld.de|access-date=10 April 2018|archive-url=https://web.archive.org/web/20090125200913/http://www.solarworld.de/Solar-ABC.123.0.html?&L=1|archive-date=25 January 2009|url-status=dead}}</ref>
<ref name="nissin-ion">[https://www.nissin-ion.co.jp/dic/102/ シャロージャンクション（日新イオン機器株式会社）]</ref>
<ref name="nyecospaces">{{cite web|url=http://www.nyecospaces.com/2007/09/photovoltaics-getting-cheaper.html|title=Photovoltaics: Getting Cheaper|website=nyecospaces.com|access-date=10 April 2018|archive-url=https://web.archive.org/web/20150102020609/http://www.nyecospaces.com/2007/09/photovoltaics-getting-cheaper.html|archive-date=2 January 2015|url-status=dead}}</ref>
<ref name="wsj">[https://www.wsj.com/articles/SB114624912379938991 The Wall Street Journal, ''A Shortage Hits Solar Power''. April 29, 2006.]</ref>
<ref name="enfsolar">{{cite web|url=http://www.enfsolar.com/directory/material/polysilicon|title=ENF Ltd.|first=ENF|last=Ltd.|website=www.enfsolar.com|access-date=10 April 2018}}</ref>
<ref name="Morgan&Board">{{cite book|last1=Morgan|first1=D. V.|last2=Board|first2=K.|title=An Introduction To Semiconductor Microtechnology|date=1991|publisher=John Wiley & Sons|location=Chichester, West Sussex, England|isbn=0471924784|page=27|edition=2nd}}</ref>
<ref name="SEMI-NET">[https://semi-net.com/word/ステップカバレッジ-2 半導体用語集 ステップカバレッジ (SEMI-NET)]</ref>
<ref name="Becker">C.Becker, Microstructure and photovoltaic performance of polycrystalline silicon thin films on temperature-stable ZnO:Al layers. ''J. Appl. Phys.'' 106, 084506 (2009), [[DOI:10.1063/1.3240343]]</ref>
<ref name="IEEE2010">[35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 614 (2010)]</ref>
<ref name="Boer2012">{{cite book|author=Karl W. Boer|url=https://books.google.com/books?id=MHygBwAAQBAJ&pg=PA153|title=Advances in Solar Energy: An Annual Review of Research and Development, Volume 1 · 1982|date=6 December 2012|publisher=Springer Science & Business Media|isbn=978-1-4684-8992-7|pages=153–}}</ref>
<ref name="Petrova-Koch2009">{{cite book|author=Vesselinka Petrova-Koch|url=https://books.google.com/books?id=oAeRdi9lIjkC&pg=PA47|title=High-Efficient Low-Cost Photovoltaics: Recent Developments|publisher=Springer Science & Business Media|year=2009|isbn=978-3-540-79358-8|pages=47–}}</ref>
<ref name="glgroup">[http://www.glgroup.com/News/Is-Upgraded-Metallurgical-Grade-Silicon-The-Only-Hope-For-Manufacturers-of-Photovoltaic-Solar-Cells--24814.html Is Upgraded Metallurgical Grade Silicon The Only Hope For Manufacturers of Photovoltaic Solar Cells? – GLG News]. Glgroup.com (2008-05-20). Retrieved on 2011-04-02.</ref>
<ref name="guntherportfolio">[http://guntherportfolio.com/2010/04/dow-corning-stopped-umg-solar-grade-silicon-production/ Dow Corning stopped UMG Solar Grade Silicon Production]. GUNTHER Portfolio (2010-04-29). Retrieved on 2011-04-02.</ref>

<ref name="timminco">[http://www.timminco.com/PressRelease.aspx?prId=1412106&id=24 Press Release]. Timminco. Retrieved on 2011-04-02.

Note regarding Timminco: On May 14, 2009, Timminco Limited, Photon Consulting LLC, Rogol Energy Consulting LLC, Michael Rogol, Dr. Heinz Schimmelbusch, Robert Dietrich, René Boisvert, Arthur R. Spector, Jack L. Messman, John C. Fox, Michael D. Winfield, Mickey P. Yakisch and John P. Walsh were named as defendants in a lawsuit. The claim was for $500 million plus punitive damages.

The Superior Court of Justice decision in favor of the defendants is available here:

<nowiki>https://www.canlii.org/en/on/onsc/doc/2016/2016onsc3124/2016onsc3124.html</nowiki>

An appeal to the Ontario Superior Court is available at the following link. The Court again found in favor of the defendants and awarded costs accordingly.

<nowiki>https://www.canlii.org/en/on/onca/doc/2017/2017onca369/2017onca369.html</nowiki>

An appeal to the Canadian Supreme Court was made. The final decision by the Canadian Supreme Court fully vindicating the defendants' position with partial costs awarded to the defendants. The final decision is available here:

<nowiki>https://scc-csc.lexum.com/scc-csc/scc-l-csc-a/en/16947/1/document.do</nowiki>

A summary of this case is available here:

<nowiki>https://www.canadianunderwriter.ca/insurance/court-shuts-door-case-may-muddied-water-limitation-periods-1004126598/</nowiki>
</ref>

<ref name="solarserver">[http://www.solarserver.com/solar-magazine/solar-news/current/kw49/oci-aims-to-become-worlds-largest-polysilicon-producer-with-27000mty-expansion.html Solarserver | Das Internetportal für erneuerbare Energien]</ref>
<ref name="bernreuter">http://www.bernreuter.com/fileadmin/user_upload/samples/SWE_6-2010_Solar_Silicon_Conference.pdf {{Bare URL PDF|date=March 2022}}</ref>
<ref name="virtualmetals">{{cite web|url=http://www.virtualmetals.co.uk/pdf/FBNSB0610.pdf|title=Personal finance news, articles, tips and advice on managing your money - myfinances.co.uk|website=My Finances|access-date=10 April 2018}}</ref>
<ref name="bernreuter2">[http://www.bernreuter.com/fileadmin/user_upload/silicon_report/Solar_Silicon_Info.pdf The Who's Who of Solar Silicon Production], Companies, Technologies, Cost, Capacities, Global Perspectives through 2012</ref>
<ref name="guntherportfolio2">[http://guntherportfolio.com/2011/03/solar-grade-litigation-dow-corning-vs-rsi-silicon/ Solar Grade Litigation: Dow Corning vs. RSI Silicon]. GUNTHER Portfolio. Retrieved on 2011-04-02.</ref>
<ref name="streetman">{{Citation |last1=Streetman |first1=B. G. |name-list-style=amp |last2=Banerjee |first2=S. |title=Solid State Electronic Devices |edition=5th |publisher=Prentice Hall |location=New Jersey |year=2000 |isbn=0-13-025538-6 }}</ref>
<ref name="Ghosh">{{Citation |title=Theory of the electrical and photovoltaic properties of polycrystalline silicon |first1=Amal K. |last1=Ghosh |first2=Charles |last2=Fishman |name-list-style=amp |first3=Tom |last3=Feng |journal=Journal of Applied Physics |volume=51 |issue=1 |page=446 |year=1980 |doi=10.1063/1.327342 |bibcode = 1980JAP....51..446G }}</ref>
<ref name="Basore">{{Citation |last=Basore |first=P. A. |title=CSG-2: Expanding the production of a new polycrystalline silicon PV technology |work=Proceedings of the 21st European Photovoltaic Solar Energy Conference |year=2006 |url=http://www.csgsolar.com/downloads/CSG-2%20Basore.pdf }}</ref>
<ref name="digitimes">{{cite web|url=http://www.digitimes.com/news/a20110718PD215.html|title=Login to DIGITIMES archive & research|last=DIGITIMES|website=www.digitimes.com|access-date=10 April 2018}}</ref>
<ref name="eetasia">{{cite web|url=http://www.eetasia.com/ART_8800665769_765245_NT_5e271e8d.HTM|title=Polysilicon surplus seen to erode prices, says analyst|website=www.eetasia.com|access-date=10 April 2018}}</ref>
<ref name="solarindustrymag">{{cite web|url=http://solarindustrymag.com/e107_plugins/content/content.php?content.11295|title=Solar Polysilicon Manufacturers Cranking Out Supply Despite Losses - Solar Industry|date=2 October 2012|website=solarindustrymag.com|access-date=10 April 2018}}</ref>
<ref name="Commerzbank">Commerzbank Equity Research, Robert Schramm, Lauren Licuanan: ''Feedback form Solar Silicon Conference''. 28. April 2010</ref>
<ref name="Citigroup">Citigroup Global Markets, Timothy Lam: ''Asia Solar View – May 2010'', 3. May 2010</ref>
<ref name="wacker">http://www.wacker.com [http://www.wacker.com/cms/en/nafta/about_nafta/tennessee/tennessee.jsp WACKER TENNESSEE Frequently Asked Questions], 2015</ref>
<ref name="presseportal">{{cite web|url=http://www.presseportal.de/pm/9155/1599075/wacker_chemie_ag|title=EANS-News: Wacker Chemie AG / POLYSILICON FACILITIES START UP AT WACKER'SBURGHAUSEN SITE|website=presseportal.de|access-date=10 April 2018}}</ref>
<ref name="polysilicon-marketrealist">{{cite web |url=http://marketrealist.com/2015/02/china-new-silicon-valley/ |title=China: The new silicon valley – Polysilicon |date=2 February 2015 |archive-url=https://web.archive.org/web/20150425140505/http://marketrealist.com/2015/02/china-new-silicon-valley/ |archive-date=25 April 2015 |url-status=dead |access-date=30 April 2015 }}</ref>
<ref name="BNEF polysilicon-production-2013">{{cite web |url=http://about.bnef.com/content/uploads/sites/4/2014/04/2014-04-16-PV-production-2013-an-all-Asian-affair.pdf |title=Solar Insight, Research note – PV production 2013: an all Asian-affair |pages=2–3 |publisher=Bloomberg New Energy Finance |date=16 April 2014 |accessdate=3 August 2023|archive-url=https://web.archive.org/web/20140630173040/http://about.bnef.com/content/uploads/sites/4/2014/04/2014-04-16-PV-production-2013-an-all-Asian-affair.pdf |archive-date=30 June 2014 |url-status=live}}</ref>
<ref name="pvinsights">{{cite web|url=http://www.pvinsights.com|title=PVinsights|website=www.pvinsights.com|access-date=10 April 2018}}</ref>
<ref name="pr-inside">[http://www.pr-inside.com/price-cut-of-solar-pv-supply-r2597183.htm ''Price cut of solar PV supply chain spreads and the price of poly-silicon might be dragged down by others'']</ref>
<ref name="digitimes2">{{cite web|url=http://www.digitimes.com/news/a20121123PD204.html|title=Login to DIGITIMES archive & research|last=DIGITIMES|website=www.digitimes.com|access-date=10 April 2018}}</ref>
<ref name="dumping">{{cite news|title=China Imposes Duties on Polysilicon From U.S., S. Korea|url=https://www.bloomberg.com/news/2013-07-18/china-imposes-duties-on-polysilicon-from-u-s-to-korea.html/|access-date=14 March 2017|newspaper=Bloomberg|date=18 July 2013|archive-url=https://web.archive.org/web/20170314193011/https://www.bloomberg.com/news/2013-07-18/china-imposes-duties-on-polysilicon-from-u-s-to-korea.html/|archive-date=2017-03-14}}</ref>
<ref name="waste">{{cite news|title=Solar Energy Firms Leave Waste Behind in China|url=https://www.washingtonpost.com/wp-dyn/content/article/2008/03/08/AR2008030802595_3.html|access-date=8 March 2015|newspaper=Washington Post|date=9 March 2008}}</ref>
<ref name="semi-net-mg-si">[https://semi-net.com/word/%E9%87%91%E5%B1%9E%E3%82%B7%E3%83%AA%E3%82%B3%E3%83%B3%EF%BC%9Amg-si 金属シリコン：MG-Si（SEMI-NET）]</ref>
<ref name="pv-manufacturing">[https://pv-manufacturing.org/silicon-production/upgraded-metallurgical-grade-umg-silicon/ Upgraded metallurgical grade (UMG) silicon (pv-manufacturing.org)]</ref>
<ref name="pveducation">[https://www.pveducation.org/pvcdrom/manufacturing-si-cells/types-of-silicon Types of Silicon (pveducation.org)]</ref>
<ref name="tokuyama">[https://www.tokuyama.co.jp/products/electronic_materials/polysilicon.html 高純度多結晶シリコン (株式会社トクヤマ)]</ref>
<ref name="yhg">[https://www.yhg.co.jp/taiyo33/column/%E3%80%8C%E5%8D%98%E7%B5%90%E6%99%B6%E3%80%8D%E3%81%A8%E3%80%8C%E5%A4%9A%E7%B5%90%E6%99%B6%E3%80%8D%E3%81%AE%E9%81%95%E3%81%84%E3%81%A8%E3%81%AF%EF%BC%9F/ 「単結晶」と「多結晶」の違いとは？シリコン系太陽電池を徹底比較！（yh株式会社）]</ref>
<ref name="USJC">[https://www.usjpc.com/tech-intro/process/gate <nowiki>FEOL（Front End of Line：基板工程、半導体製造前工程の前半）
3. ゲート酸化+ゲート形成 （ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社）</nowiki>]</ref>
}}

== 外部リンク ==
{{commons category|Polycrystalline silicon solar cells}}
* {{cite news|title=Sand Trap: Will the silicon shortage stunt the solar industry's growth?|url=http://plentymag.com/features/2006/11/sand_trap.php|work=Plenty Magazine|date=November 10, 2006|author=Alan Joch}}
*[https://www.targray.com/solar/solar-silicon/virgin-polysilicon Polycrystalline Silicon Procurement Solutions]

{{半導体}}
{{太陽光発電}}
{{DEFAULTSORT:たけつしようしりこん}}
[[Category:結晶]]
[[Category:太陽電池]]
[[Category:半導体]]


text:
# ローラージャマー
『ローラージャマー』(Roller Jammer)とは、1984年に日本物産（ニチブツ）から発売されたアーケードゲーム。

## 概要
ローラースケートを題材とした擬似3Dのアクションゲームで、相手にパンチで攻撃しステージをクリアするといった内容。
作曲は『チューブパニック』を企画した高木(I.TAKAGI)、サウンドのハード・ソフトは山田良一が担当しており、ゲーム中には同社の作品である『クレイジー・クライマー』や『ムーンクレスタ』の広告が表示されている。
全体的に1983年にカネコから発売された『ファイティングローラー』に類似したつくりとなっている。

## 移植版
| No. | タイトル         | 発売日        | 対応機種                      | 開発元   | 発売元     | メディア                              | 備考 |
| --- | ---------------- | ------------- | ----------------------------- | -------- | ---------- | ------------------------------------- | ---- |
| 1   | ローラージャマー | 2022年7月28日 | PlayStation 4 Nintendo Switch | ニチブツ | ハムスター | ダウンロード (アーケードアーカイブス) |      |

## スタッフ
- PLANNING : H.YAMAMOTO
- SOFTWARE : O.TOMIYAMA
- HARDWARE : S.MIYOSHI
- ART WORK : 藤原茂樹
- SOUND : 山田良一、高木一郎

title: ローラージャマー

wikitext:
{{コンピュータゲーム
| Title = ローラージャマー
| Genre = [[アクションゲーム]]
| Plat = [[アーケードゲーム|アーケード]]
| Dev = [[日本物産]]
アリス
| Pub = 日本物産
| producer =
| director = H.YAMAMOTO
| designer =
| writer =
| programmer = O.TOMIYAMA
| composer = 山田良一、高木一郎
| artist = [[藤原茂樹 (ゲームクリエイター)|藤原茂樹]]
| license =
| series =
| Ver =
| Play = 1人
| Media = [[アーケードゲーム基板|業務用基板]]
| Date = [[1984年]]
| Rating = {{IARC-12+}}
| ContentsIcon =
| Download content =
| Device =
| Spec =
| Engine =
| aspect ratio =
| resolution =
| cabinet =
| Arcade system =
| cpu =
| sound =
| display =
| Sale =
| ArcOnly = 1
| OnlineGame =
| etc =
}}
『'''ローラージャマー'''』(''Roller Jammer'')とは、[[1984年]]に[[日本物産]]（ニチブツ）から発売された[[アーケードゲーム]]。

== 概要 ==
[[ローラースケート]]を題材とした擬似3Dの[[アクションゲーム]]で、相手にパンチで攻撃しステージをクリアするといった内容。

作曲は『[[チューブパニック]]』を企画した高木(I.TAKAGI)、サウンドのハード・ソフトは山田良一が担当しており<ref>スコアネーム欄にて山田良一の記述あり</ref>、ゲーム中には同社の作品である『[[クレイジー・クライマー]]』や『[[ムーンクレスタ]]』の広告が表示されている。

全体的に[[1983年]]に[[カネコ]]から発売された『ファイティングローラー』に類似したつくりとなっている<ref>ローラースケートを題材としたゲームで、こちらも敵に攻撃をする擬似3Dのアクションゲームであるため</ref>。

== 移植版 ==
{|class="wikitable" style="white-space:nowrap; font-size:85%"
|-
! No.
! タイトル
! 発売日
! 対応機種
! 開発元
! 発売元
! メディア
! 備考
|-
|-
| style="text-align:right" | 1
! ローラージャマー
| {{vgrelease new|JP|2022年7月28日<ref>{{Cite web|和書|url=https://www.famitsu.com/news/202207/27269948.html |title=Switch/PS4『アケアカ ローラージャマー』が7月28日配信。ローラースケートのプロを目指してさまざまなレースに挑むアクションゲーム |website=[[ファミ通|ファミ通.com]] |publisher=[[KADOKAWA]] |language= [[日本語]] |date=2022-07-27 |accessdate=2022-07-28}}</ref><ref>{{Cite web|和書|author=長岡 頼 |date=2022-07-27 |url=https://game.watch.impress.co.jp/docs/news/1427952.html |title=「アーケードアーカイブス ローラージャマー」7月28日配信 ローラースケートのプロを目指し様々なレースに挑む |website=[[Impress Watch|GAME Watch]] |publisher=[[インプレス]] |language= [[日本語]] |accessdate=2022-07-28}}</ref><ref>{{Cite web|和書|author=Gamer編集部 |date=2022-07-27 |url=https://www.gamer.ne.jp/news/202207270035/ |title=相手をふっとばしながら勝利を目指すローラースケートACT「アーケードアーカイブス ローラージャマー」がPS4/Switchで7月28日に配信！ |website=Gamer |publisher=ixll |language= [[日本語]] |accessdate=2022-07-28}}</ref>}}
| [[PlayStation 4]]
[[Nintendo Switch]]
| ニチブツ
| [[ハムスター (ゲーム会社)|ハムスター]]
| [[ダウンロード販売|ダウンロード]]
([[アーケードアーカイブス]])
|
|}

== スタッフ ==
*PLANNING : H.YAMAMOTO
*SOFTWARE : O.TOMIYAMA
*HARDWARE : S.MIYOSHI
*ART WORK : [[藤原茂樹 (ゲームクリエイター)|藤原茂樹]]
*SOUND : 山田良一、高木一郎

== 脚注 ==
<references/>

== 関連項目 ==
* [[セクターゾーン]] - 開発元が同じアリスのゲームソフト。

== 外部リンク ==
* [http://www.hamster.co.jp/arcadearchives/roller-jammer.htm ハムスターアーケードアーカイブス公式サイト ローラージャマー(PS4版)]
* [http://www.hamster.co.jp/arcadearchives/switch/roller-jammer.htm ハムスターアーケードアーカイブス公式サイト ローラージャマー(Nintendo Switch版)]

{{Video-game-stub}}

{{DEFAULTSORT:ろうらあしやまあ}}
[[Category:1984年のアーケードゲーム]]
[[Category:日本物産のゲームソフト]]
[[Category:アクションゲーム]]
[[Category:アーケードアーカイブス対応ソフト]]

title: ローラージャマー

ジャンル: アクションゲーム

対応機種: アーケード

開発元: 日本物産 · アリス

発売元: 日本物産

音楽: 山田良一、高木一郎

美術: 藤原茂樹

人数: 1人

メディア: 業務用基板


text:
# バーンチエン遺跡
バーンチエン遺跡（バーンチエンいせき、タイ語: โบราณสถานบ้านเชียง）は、タイ・ウドーンターニー県・ノーンハーン郡にある古代文明の遺跡。ユネスコの世界遺産（文化遺産）に登録されている。

## 概要
バーンチエン遺跡では土器を中心に動物の骨なども見つかっており、黄河文明・メソポタミア文明とは違った、東南アジア独自の文明として注目を集めている。土器には独特の渦をもった幾何学模様をもつものがあり広く知られている。なお、紀元前数千年というタイの有史以前の時代のものであり、文明の主である民族は今のところ不明とされている。

### 発見から保存・調査へ
元々森林地帯であったバーンチエンは小さな村であった。遺跡自体はかなり以前から外に露出しており、その遺跡の土器は、周辺の村人によって拾われ、カメに使われるなど日用品として利用されていた。しかし、1960年に地元の学校、プラチャーチエンチュート学校の教師群がこの土器は実は考古学的な遺産なのではないかと考えるようになり、学校内に保存を目的とした博物館を設置、保存にあたった。同年タイ文部省の発掘が始まった。
1972年にはこの遺跡の重要性などがさらに明らかになっていたため、文部省は発掘を続けることを決定した。同年には国王・プーミポンも訪れ、国王が「この遺跡の物品はこの地にあるべきであり、バンコクの博物館で展示すべきではない」と言ったことにより、バーンチエンに国立博物館が設立された。
日本に知られるようになったのは、朝日新聞と毎日新聞の共同による発掘研究作業が進められた時からである。西洋へは1996年アメリカ人の学生が発見したことにその認知が始まり、以降ペンシルベニア大学により以降積極的な発掘が行われるようになった。

### 研究
当初、紀元前4630年ぐらいのものという説があったが、これに否定を唱える学者がいたため奈良大学で発掘物の炭素検査を行った。この結果、現在では紀元前3000～2000年頃のものと推測されている。
発掘により分かったことはバーンチエンでは、そのころ稲作や豚などの家畜が行われ、ガラスや、青銅器・鉄器などが使われていたということである。
なお、東京国立博物館東洋館において出土品の一部の展示が見られる。

### 登録基準
この世界遺産は世界遺産登録基準のうち、以下の条件を満たし、登録された（以下の基準は世界遺産センター公表の登録基準からの翻訳、引用である）。
- (3) 現存するまたは消滅した文化的伝統または文明の、唯一のまたは少なくとも稀な証拠。

これに対しICOMOSは以下の旨の推薦理由を付けた。バーンチエン遺跡は、紀元前5世紀頃の人間の文化、社会、技術の注目すべき現象の中心であり、その文明は外の地域とは違う独自のものである。

title: バーンチエン遺跡

wikitext:
{{複数の問題
| 出典の明記 = 2025年6月
| 脚注の不足 = 2025年6月
}}
{{世界遺産概要表
|site_img = File:Ban Chiang Museum Excavation.JPG
|site_img_capt = バーンチエン遺跡の発掘物
|site_img_width = 275px
|ja_name = バーンチエン遺跡
|en_name = Ban Chiang Archaeological Site
|fr_name = Site archéologique de Ban Chiang
|country = タイ王国
|criterion_c = (3)
|rg_year = 1992年
|ex_rg_year =
|remarks =
|url_no = 575
|map_img = 画像:LocMap of WH BC.png
|map_img_width = 211px
}}
'''バーンチエン遺跡'''（バーンチエンいせき、{{Lang-th|โบราณสถานบ้านเชียง}}）は、[[タイ王国|タイ]]・[[ウドーンターニー県]]・[[ノーンハーン郡]]にある古代文明の遺跡。[[国際連合教育科学文化機関|ユネスコ]]の[[世界遺産]]（文化遺産）に登録されている。

== 概要 ==
[[File:Museum für Indische Kunst Dahlem Berlin Mai 2006 056.jpg|right|250px|thumb|[[ベルリン]]の[[ベルリン美術館|東アジア美術館]]に所蔵されているバーンチエン出土の土器]]
バーンチエン遺跡では土器を中心に動物の骨なども見つかっており、[[黄河文明]]・[[メソポタミア文明]]とは違った、[[東南アジア]]独自の文明として注目を集めている。土器には独特の渦をもった幾何学模様をもつものがあり広く知られている。なお、紀元前数千年というタイの有史以前の時代のものであり、文明の主である民族は今のところ不明とされている。

=== 発見から保存・調査へ ===
元々森林地帯であったバーンチエンは小さな村であった。遺跡自体はかなり以前から外に露出しており、その遺跡の土器は、周辺の村人によって拾われ、カメに使われるなど日用品として利用されていた。しかし、1960年に地元の学校、プラチャーチエンチュート学校の教師群がこの土器は実は[[考古学]]的な遺産なのではないかと考えるようになり、学校内に保存を目的とした博物館を設置、保存にあたった。同年タイ文部省の発掘が始まった。

1972年にはこの遺跡の重要性などがさらに明らかになっていたため、文部省は発掘を続けることを決定した。同年には国王・[[ラーマ9世|プーミポン]]も訪れ、国王が「この遺跡の物品はこの地にあるべきであり、[[バンコク]]の博物館で展示すべきではない」と言ったことにより、バーンチエンに国立博物館が設立された。

日本に知られるようになったのは、[[朝日新聞]]と[[毎日新聞]]の共同による発掘研究作業が進められた時からである。西洋へは1996年アメリカ人の学生が発見したことにその認知が始まり、以降ペンシルベニア大学により以降積極的な発掘が行われるようになった。

=== 研究 ===
当初、紀元前4630年ぐらいのものという説があったが、これに否定を唱える学者がいたため[[奈良大学]]で発掘物の炭素検査を行った。この結果、現在では紀元前3000～2000年頃のものと推測されている。

発掘により分かったことはバーンチエンでは、そのころ[[稲作]]や[[ブタ|豚]]などの家畜が行われ、ガラスや、青銅器・鉄器などが使われていたということである。

なお、[[東京国立博物館]]東洋館において出土品の一部の展示が見られる。

=== 登録基準 ===
{{世界遺産基準|3}}

:これに対し[[ICOMOS]]は以下の旨の推薦理由を付けた。バーンチエン遺跡は、[[紀元前5世紀]]頃の人間の文化、社会、技術の注目すべき現象の中心であり、その文明は外の地域とは違う独自のものである。

== 参考文献 ==
* Abha Bhamorabutr, ''Ban Chiang : the unexpected prehistoric civilization in Thailand'', Bangkok: Department of Corrections Press, 1988{{Full citation needed|date=2025年6月}}

{{タイの世界遺産}}
{{DEFAULTSORT:はんちえんいせき}}
[[Category:タイの遺跡]]
[[Category:タイの世界遺産]]
[[Category:世界遺産 は行]]
[[Category:ウドーンターニー県]]
[[Category:1992年登録の世界遺産]]

title: | 世界遺産 | バーンチエン遺跡 （タイ王国） |

世界遺産: バーンチエン遺跡 · （タイ王国）

英名: Ban Chiang Archaeological Site

仏名: Site archéologique de Ban Chiang

登録区分: 文化遺産

公式サイト: 世界遺産センター（英語）

title: 地図

地図: バーンチエン遺跡の位置 使用方法・表示


text:
# パナソニックアリーナ
パナソニックアリーナは、大阪府枚方市にある、パナソニック所有の体育館。

## 概要
1965年、前年に完成した松下電器産業（当時）の社員研修所の一角に社員の福利厚生を目的とした松下電器体育館として建設された。1968年に開催された松下電器産業創業50周年記念式典を始め、松下電器・パナソニック主催イベントの多くが同所で開催されている。かつては枚方市の成人式やコンサートも開催されたことがある。
パナソニック関連のスポーツチームの本拠地としても活用されており、SVリーグの大阪ブルテオンのホームゲームが開催される。また、かつてはバスケットボールのパナソニックトライアンズ（現：和歌山トライアンズ）もここを本拠地としていた。
体育館のステージ右側には、パナソニックの創業者である松下幸之助の大きな写真が掲示されている。

## 交通
- 国道1号枚方バイパス沿いにある（ただし、敷地内に一般駐車場はない）。
- 京阪電気鉄道京阪本線枚方公園駅より、京阪バスで「さつき丘」下車。

title: パナソニックアリーナ

wikitext:
{{体育館
|名称=パナソニックアリーナ
|旧名称=松下電器体育館
|画像= [[File:Panasonic Arena Panpans vs Suntory (2).JPG|250px]]
{{maplink2|frame=yes|plain=yes|type=point|zoom=13|frame-align=center|frame-width=250}}
|愛称=
|正式名称=
|用途=屋内スポーツ
|旧用途=
|収容人数=
|設計者=
|施工=
|建築主=
|事業主体=
|管理運営=パナソニック 人材開発カンパニー
|構造形式=
|敷地面積=|敷地面積ref= |敷地面積備考=
|建築面積=|建築面積ref=|建築面積備考=
|延床面積=|延床面積ref=|延床面積備考=
|階数=
|高さ=
|着工=
|竣工=1965年
|所在地郵便番号=573-0092
|所在地=[[大阪府]][[枚方市]]菊丘南町2−10
|位置=
}}

[[File:Panasonic Arena Panpans vs Suntory.JPG|thumb|right|内部]]
[[File:Matsushita_Electric_Industrial_Gymnasium.jpg|thumb|right|松下電器体育館時代（2005年）]]

'''パナソニックアリーナ'''は、[[大阪府]][[枚方市]]にある、[[パナソニック]]所有の[[体育館]]。

== 概要 ==
1965年、前年に完成した松下電器産業（当時）の社員研修所の一角に社員の福利厚生を目的とした'''松下電器体育館'''として建設された<ref>{{Cite web|和書|url=http://www.panasonic.com/jp/corporate/history/chronicle/1965.html|title=社史 1965年（昭和40年）|publisher=パナソニック|accessdate=2017-10-13}}</ref>。1968年に開催された松下電器産業創業50周年記念式典<ref>{{Cite web|和書|url=http://www.panasonic.com/jp/corporate/history/konosuke-matsushita/129.html|title=松下幸之助の生涯 創業50周年記念式典を挙行　1968年（昭和43年）|publisher=パナソニック|accessdate=2017-10-13}}</ref>を始め、松下電器・パナソニック主催イベントの多くが同所で開催されている。かつては枚方市の成人式やコンサートも開催されたことがある。

パナソニック関連のスポーツチームの本拠地としても活用されており、[[SVリーグ]]の[[大阪ブルテオン]]のホームゲームが開催される。また、かつてはバスケットボールの[[パナソニックトライアンズ]]（現：[[和歌山トライアンズ]]）もここを本拠地としていた。

体育館のステージ右側には、パナソニックの創業者である[[松下幸之助]]の大きな写真が掲示されている。

== 交通 ==
*[[国道1号]][[枚方バイパス]]沿いにある（ただし、敷地内に一般駐車場はない）。
*[[京阪電気鉄道]][[京阪本線]][[枚方公園駅]]より、[[京阪バス]]で「さつき丘」下車。

== 脚注 ==
{{Reflist}}

== 関連項目 ==
* [[パナソニックベースボールスタジアム]]

== 外部リンク ==
* [http://panasonic.co.jp/sports/access/index.html パナソニックによるグラウンド紹介]

{{coord|34|48|1|N|135|38|39.3|E|region:JP|display=title}}
{{DEFAULTSORT:はなそにつくありな}}
[[Category:近畿地方の屋内競技施設]]
[[Category:近畿地方のバレーボール競技施設]]
[[Category:近畿地方のバスケットボール競技施設]]
[[Category:大阪府のスポーツ施設]]
[[Category:パナソニックグループ]]
[[Category:枚方市の建築物]]
[[Category:1965年竣工の日本の建築物]]
[[Category:1965年開設のスポーツ施設]]
[[Category:大阪ブルテオン]]
[[Category:枚方市のスポーツ]]

title: 施設情報

旧名称: 松下電器体育館

用途: 屋内スポーツ

管理運営: パナソニック 人材開発カンパニー

所在地: 〒573-0092 · 大阪府枚方市菊丘南町2−10


text:
# KDDI茨城衛星通信センター
KDDI茨城衛星通信センター（ケイディディアイ いばらきえいせいつうしんセンター）は、かつて茨城県にあったKDDIの衛星通信施設である。1968年に日本で最初の衛星通信施設として茨城県多賀郡十王町（当時）開設され、初の日米テレビ中継をはじめ衛星通信の地上中継局として活躍した。2007年3月にKDDIの通信局としての機能は山口衛星通信センターに統合され、衛星通信局としての役割を終えた。
センター閉局時に稼働していた2基の32mアンテナは国立天文台に譲渡・改造され、2025年現在でも国立天文台水沢局VLBI観測所茨城観測局の電波望遠鏡（高萩局・日立局）として天文観測のために、茨城大学を中心に運用されている。敷地は高萩市と日立市にまたがっている。

## 概要
国際電信電話 (KDD) が1963年（昭和37年）11月20日に、衛星通信の実用化へ向けた実験施設「茨城宇宙通信実験所」として開所した。開所直後の11月23日に、アメリカ航空宇宙局 (NASA) の通信衛星リレー1号を使用して日米間でテレビ放送の衛星中継実験が初めて行われた際に届いた、ジョン・F・ケネディ大統領が暗殺されたニュース映像を受信した。「日本の衛星通信発祥の地」とも通称される。
1965年11月に「茨城衛星通信所」と改称され、1966年12月からインテルサット太平洋衛星向け地球局として運用を開始した。インド洋上の静止衛星を介してヨーロッパ・アフリカ・西アジア向けの衛星通信を可能にした山口衛星通信所が1969年5月に開所すると、共に日本の国際衛星通信の基幹を担った。2002年8月に「茨城衛星通信センター」と改称されたが、現地や建物の表記は「KDDI茨城衛星通信所」であった。
小規模な展示施設「衛星通信館」は日中に随時見学が可能で、敷地内は300本のソメイヨシノが植樹されて花見の来訪客も多かった。
大容量光ファイバー海底ケーブルの普及につれて衛星通信は海底線の補完が主務となると、KDDIは衛星通信所の機能を山口衛星通信センターへ集約し、受信可能範囲が太平洋に限定される茨城衛星通信センターは2007年（平成19年）3月16日に閉所された。
閉所直前に日本アマチュア無線連盟が、運用を終了した32メートル (m) パラボラアンテナ1基を借り上げ、月面反射通信する「ビッグ・ディッシュ・プロジェクト」を催した。
施設跡地は高萩市および日立市に無償譲渡され、高萩市側は高萩市衛星通信記念公園、日立市側はさくら宇宙公園と愛称が付き、閉所後も変わらずに花見客が訪れる。
2基の32mパラボラアンテナは、国立天文台茨城観測局と茨城大学宇宙科学教育研究センターが電波望遠鏡として活用している。
2009年11月23日に「初の太平洋横断衛星テレビジョン伝送」 (First Transpacific Reception of a Television (TV) Signal via Satellite, 1963) に関してIEEEマイルストーンに認定された。

title: KDDI茨城衛星通信センター

wikitext:
[[ファイル:KDDI Ibaraki.jpg|240px|right|thumb|KDDI茨城衛星通信センター 32mパラボラアンテナ（2005年4月）]]
[[ファイル:Ibaraki Earth Station 1966.jpg|サムネイル|KDD茨城衛星通信所（1966年）]]
'''KDDI茨城衛星通信センター'''（ケイディディアイ いばらきえいせいつうしんセンター）は、かつて[[茨城県]]にあった[[KDDI]]の衛星通信施設である。[[1968年]]に日本で最初の衛星通信施設として茨城県[[多賀郡]][[十王町]]（当時）開設され、初の日米テレビ中継をはじめ衛星通信の地上中継局として活躍した。[[2007年]]3月にKDDIの通信局としての機能は[[KDDI山口衛星通信センター|山口衛星通信センター]]に統合され、衛星通信局としての役割を終えた<ref name=":0">{{Cite web|date=2007-07|title=CSR Report 2007|publisher=KDDI|url=https://media3.kddi.com/extlib/files/corporate/csr/csr_report/pdf/csr_report_2007.pdf|access-date=2025-08-17|pages=23-24}}</ref>。

センター閉局時に稼働していた2基の32mアンテナは国立天文台に譲渡・改造され、[[2025年]]現在でも[[国立天文台]][[水沢VLBI観測所|水沢局VLBI観測所]]茨城観測局の電波望遠鏡（高萩局・日立局）として天文観測のために、[[茨城大学]]を中心に運用されている<ref>{{Cite web|title=茨城局（茨城大学／国立天文台）－観測局情報|url=https://www.miz.nao.ac.jp/veraserver/network/ant_ibaraki.html|website=www.miz.nao.ac.jp|access-date=2025-08-17}}</ref><ref>{{Cite web|title=茨城観測局 {{!}} 国立天文台 水沢|url=https://www.miz.nao.ac.jp/content/facility/ibaraki-station.html|website=www.miz.nao.ac.jp|access-date=2025-08-17}}</ref>。敷地は[[高萩市]]と[[日立市]]にまたがっている。

== 概要 ==
[[国際電信電話]] (KDD) が[[1963年]]（[[昭和]]37年）11月20日に、[[衛星通信]]の実用化へ向けた実験施設「茨城宇宙通信実験所」として開所した<ref>{{Cite book|和書 |title=電波年鑑 昭和39年版 |year=1964 |publisher=郵政省電波監理局 |page=516 |url=https://dl.ndl.go.jp/pid/2520074/1/269}}</ref><ref>{{Cite book|和書 |title=郵政 新春増大16(1)(174) |date=1964-01 |publisher=日本郵政公社広報部門広報部 |pages=12-13 |url=https://dl.ndl.go.jp/pid/2809396/1/8}}</ref><ref>{{Cite book|和書 |title=信毎年鑑 1965年版 |year=1964 |publisher=信濃毎日新聞社 |page=108 |url=https://dl.ndl.go.jp/pid/2980676/1/66 |editor=信濃毎日新聞社調査出版部}}</ref><ref>{{Cite book|和書 |title=日本現勢 昭和40年版 |year=1964 |publisher=共同通信社出版部 |pages=46,158,160 |url=https://dl.ndl.go.jp/pid/3002726/1/49 |editor=共同通信社}}</ref><ref>{{Cite book|和書 |title=国際電信電話年報 昭和39年度 |year=1965 |publisher=国際電信電話 |page=197 |url=https://dl.ndl.go.jp/pid/2522144/1/110}}</ref><ref>{{Cite book|和書 |title=国際通信の研究(40) |date=1964-04 |publisher=KDDエンジニアリング・アンド・コンサルティング |pages=1-16 |url=https://dl.ndl.go.jp/pid/2284361/1/1 |editor=国際電信電話株式会社}}</ref><ref>{{Cite book|和書 |title=電波時報 19(2)(179) |date=1964-02 |publisher=電波振興会 |pages=16-23 |url=https://dl.ndl.go.jp/pid/2275974/1/10 |editor=郵政省電波監理局}}</ref><ref>{{Cite book|和書 |title=国際通信の研究 (39) |date=1964-01 |publisher=KDDエンジニアリング・アンド・コンサルティング |pages=1-20 |url=https://dl.ndl.go.jp/pid/2284360/1/1 |editor=国際電信電話株式会社}}</ref>。開所直後の11月23日に、[[アメリカ航空宇宙局]] (NASA) の通信衛星リレー1号を使用して日米間でテレビ放送の衛星中継実験が初めて行われた際に届いた、[[ジョン・F・ケネディ]][[大統領]]が暗殺されたニュース映像を受信した。「日本の衛星通信発祥の地」とも通称される。

[[1965年]]11月に「茨城衛星通信所」と改称され、[[1966年]]12月から[[インテルサット]]太平洋衛星向け地球局として運用を開始した。[[インド洋]]上の[[静止衛星]]を介して[[ヨーロッパ]]・[[アフリカ]]・[[西アジア]]向けの衛星通信を可能にした{{Efn|山口衛星通信所は開設時より太平洋上衛星との通信も可能だった。}}[[KDDI山口衛星通信センター|山口衛星通信所]]が[[1969年]]5月に開所すると、共に日本の国際衛星通信の基幹を担った。[[2002年]]8月に「茨城衛星通信センター」と改称されたが、現地や建物の表記は「KDDI茨城衛星通信所」であった。

小規模な展示施設「衛星通信館」は日中に随時見学が可能で、敷地内は300本の[[ソメイヨシノ]]が植樹されて[[花見]]の来訪客も多かった。

大容量[[光ファイバー]][[海底ケーブル]]の普及につれて衛星通信は海底線の補完が主務となると、KDDIは衛星通信所の機能を山口衛星通信センターへ集約し、受信可能範囲が太平洋に限定される茨城衛星通信センターは[[2007年]]（[[平成]]19年）3月16日に閉所された。

閉所直前に[[日本アマチュア無線連盟]]が、運用を終了した32[[メートル]] (m) [[パラボラアンテナ]]1基を借り上げ、[[月面反射通信]]する「ビッグ・ディッシュ・プロジェクト」を催した<ref name=":0" />。

施設跡地は高萩市および日立市に無償譲渡され、高萩市側は高萩市衛星通信記念公園、日立市側はさくら宇宙公園と愛称が付き、閉所後も変わらずに花見客が訪れる。

2基の32mパラボラアンテナは、[[国立天文台]]茨城観測局と[[茨城大学]]宇宙科学教育研究センターが[[電波望遠鏡]]として活用している。

2009年11月23日に「初の太平洋横断衛星テレビジョン伝送」 (First Transpacific Reception of a Television (TV) Signal via Satellite, 1963) に関して[[IEEEマイルストーン]]に認定された<ref>[http://satcom.jp/65/spacejapanmilestonej.pdf 茨城衛星通信センターがIEEEマイルストーン賞を受賞] 『Space Japan Review』No.65 PDF</ref>。

== 脚注 ==
{{脚注ヘルプ}}

=== 注釈 ===
{{Notelist}}

=== 出典 ===
{{Reflist}}

== 外部リンク ==
[http://www.pref.ibaraki.jp/bugai/koho/kenmin/hakase/info/11/index.html いばらきもの知り博士:茨城は日本の衛星通信発祥の地]

{{DEFAULTSORT:けいていていあいいはらきえいせいつうしんせんたあ}}
[[Category:KDDIグループの歴史|いはらきえいせいつうしんせんたあ]]
[[Category:衛星通信]]
[[Category:地上局]]
[[Category:茨城県の観光地]]
[[Category:高萩市の建築物|廃けいていていあいいはらきえいせいつうしんせんたあ]]
[[Category:日立市の建築物|廃けいていていあいいはらきえいせいつうしんせんたあ]]
[[Category:高萩市の歴史]]
[[Category:日立市の歴史]]


text:
# 平田未緒
平田 未緒（ひらた みお、1968年 - ）は、日本の人事コンサルタント。株式会社働きかた研究所代表取締役所長。

## 人物・経歴
早稲田大学を卒業後、旅行ガイド制作会社で編集記者として勤務し、1996年にアイデムへ入社して「人と仕事研究所」へ配属される。人事マネジメント情報誌の記者と編集長として約15年間、女性社員、パート、アルバイトの雇用管理と労働者の就業意向など「働きかた」について企業と個人を取材する。この間に、従業員定着率が高く業績がよい企業は、労使が相互に信頼と尊重しているとする「相思相愛マネジメント」を、著書や講演で発信する。2009年から「人と仕事研究所」長を務めた。
2013年にアイデムを退職し、株式会社働きかた研究所を設立して企業コンサルティングを開業する。
日本女子大学非常勤講師、中小企業大学校講師、中央大学ビジネススクール (MBA) 客員教授、厚生労働省で「社会保障審議会 短時間労働者への社会保険適用等に関する特別部会」委員、「非正規雇用労働者の能力開発抜本強化に関する検討会」委員、「働き方の多様化を踏まえた社会保険の対応に関する懇談会」委員、それぞれを務めた。
キャリアコンサルタント、米国CCE,Inc. 認定 GCGF-Japanキャリアカウンセラー、一般社団法人エチケット・サービス向上協会理事、特定非営利活動法人内部統制評価機構認定 内部統制評価者。

## 著作

### 単著
- 『パートのやる気を120%活かす方法]』ダイヤモンド社（2003年1月）
- 『採れない時代のパート活用成功法』経営書院 （2006年9月）
- 『パート・アルバイトの活かし方・育て方〜「相思相愛を実践する１０ステップマネジメント〜』PHP研究所（2009年11月）
- 『なぜあの会社には使える人材が集まるのか〜失敗しない採用の法則〜』PHP研究所 （2013年12月）

### 共著
- 『混成職場の人事管理と法律知識Q&A 』（産労総合研究所 編）経営書院（2006年9月）
- 『「気配り経営力」が業績を伸ばす！』（武田哲男 共著）セルバ出版（2013年7月）
- 『改正法に対応したパート、契約社員の活用と実務』（労務行政研究所 編）労務行政研究所（2014年10月）
- 『職業の経済学』（阿部正浩 編）中央経済社 （2017年9月）
- 『ダイバーシティ経営と人材マネジメント: 生協にみるワークライフバランスと組織理念の役割 』（佐藤博樹 編）勁草書房（2020年2月）

title: 平田未緒

wikitext:
{{複数の問題
|孤立=2022-08
|宣伝=2022-08
|出典の明記=2022-08
}}
'''平田 未緒'''（ひらた みお、[[1968年]] - ）は、[[日本]]の[[人事]][[コンサルタント]]。株式会社働きかた研究所[[代表取締役]]所長<ref>[http://hitokuru.atimes.co.jp/post_detail?id=68 「パートさんが長く頑張っている会社がしている「たった一つ」のこと～相思相愛マネジメント①～」]ヒトクル</ref>。

== 人物・経歴 ==
[[早稲田大学]]を卒業後、旅行ガイド制作会社で編集記者として勤務し、1996年に[[アイデム]]へ入社して「人と仕事研究所」へ配属される。人事マネジメント情報誌の記者と編集長として約15年間、女性社員、パート、アルバイトの雇用管理と労働者の就業意向など「働きかた」について企業と個人を取材する。この間に、従業員定着率が高く業績がよい企業は、労使が相互に信頼と尊重しているとする「相思相愛マネジメント」を、著書や講演で発信する。2009年から「人と仕事研究所」長を務めた<ref name="fb">[https://www.facebook.com/mio.hirata.39 「Facebook 平田未緒ページ」]Facebook</ref><ref name="tko">[https://www.hataraku.metro.tokyo.jp/sodan/seminar/profile_hirata.pdf 「平田未緒プロフィール」]東京都TOKYOはたらくネット</ref>。

2013年にアイデムを退職し、株式会社働きかた研究所を設立して企業[[コンサルティング]]を開業する<ref name="fb"/><ref name="tko"/>。

[[日本女子大学]]非常勤講師、[[中小企業大学校]]講師<ref name="hrk">[http://hatarakikata.co.jp/profile 「代表プロフィール」]働きかた研究所</ref>、[[中央大学ビジネススクール]] (MBA) 客員教授、[[厚生労働省]]で「社会保障審議会 短時間労働者への社会保険適用等に関する特別部会」委員、「非正規雇用労働者の能力開発抜本強化に関する検討会」委員、「働き方の多様化を踏まえた社会保険の対応に関する懇談会」委員、それぞれを務めた<ref>[https://www.mhlw.go.jp/stf/shingi/2r9852000001nisq-att/2r9852000001njac.pdf 「社会保障審議会短時間労働者への社会保険適用等に関する特別部会委員名簿」]厚生労働省</ref><ref>[https://www.mhlw.go.jp/stf/shingi/2r9852000002k8ag-att/2r9852000002k8ep.pdf 「非正規雇用労働者の能力開発抜本強化に関する検討会参集者名簿 」]厚生労働省</ref><ref>[https://www.mhlw.go.jp/content/12401000/000459562.pdf 「働き方の多様化を踏まえた社会保険の対応に関する懇談会構成員名簿」]厚生労働省</ref>。

キャリアコンサルタント、米国CCE,Inc. 認定 GCGF-Japanキャリアカウンセラー、一般社団法人エチケット・サービス向上協会理事、特定非営利活動法人内部統制評価機構認定 内部統制評価者<ref name="fb" /><ref name="tko" />。

== 著作 ==
=== 単著 ===
*『パートのやる気を120%活かす方法]』ダイヤモンド社（2003年1月）
*『採れない時代のパート活用成功法』経営書院 （2006年9月）
*『パート・アルバイトの活かし方・育て方〜「相思相愛を実践する１０ステップマネジメント〜』PHP研究所（2009年11月）
*『なぜあの会社には使える人材が集まるのか〜失敗しない採用の法則〜』PHP研究所 （2013年12月）

=== 共著 ===
* 『混成職場の人事管理と法律知識Q&A 』（産労総合研究所 編）経営書院（2006年9月）
* 『「気配り経営力」が業績を伸ばす！』（武田哲男 共著）セルバ出版（2013年7月）
* 『改正法に対応したパート、契約社員の活用と実務』（労務行政研究所 編）労務行政研究所（2014年10月）
* 『職業の経済学』（阿部正浩 編）中央経済社 （2017年9月）
* 『ダイバーシティ経営と人材マネジメント: 生協にみるワークライフバランスと組織理念の役割 』（佐藤博樹 編）勁草書房（2020年2月）

== 脚注 ==
{{Reflist}}

== 外部リンク ==
* [http://hatarakikata.co.jp/ 株式会社 働きかた研究所]
*[https://www.youtube.com/channel/UCh79Ih2Gixksdr78XG23KqA 平田未緒 公式YouTubeアカウント]

{{Normdaten}}
{{DEFAULTSORT:ひらた みお}}
[[Category:人事コンサルタント]]
[[Category:早稲田大学出身の人物]]
[[Category:東京都出身の人物]]
[[Category:1968年生]]
[[Category:存命人物]]


text:
# ヴァッレ・ディ・マッダローニ
ヴァッレ・ディ・マッダローニ（伊: Valle di Maddaloni）は、イタリア共和国カンパニア州カゼルタ県にある、人口約2,600人の基礎自治体（コムーネ）。

## 地理

### 位置・広がり

#### 隣接コムーネ
隣接するコムーネは以下の通り。括弧内のBNはベネヴェント県所属を示す。
- カゼルタ
- チェルヴィーノ
- ドゥラッツァーノ (BN)
- マッダローニ
- サンターガタ・デ・ゴーティ (BN)

### 気候分類・地震分類
ヴァッレ・ディ・マッダローニにおけるイタリアの気候分類 (it) および度日は、zona C, 1399 GGである。
また、イタリアの地震リスク階級 (it) では、zona 2 (sismicità media) に分類される。

title: ヴァッレ・ディ・マッダローニ

wikitext:
{{コムーネ
|nomeComune_ja = ヴァッレ・ディ・マッダローニ
|nomeComune = Valle di Maddaloni
|panorama =
|didascalia =
|linkStemma =
|siglaRegione = CAM
|siglaProvincia  = CE
|latitudineGradi = 41
|latitudineMinuti = 04
|latitudineSecondi = 44
|longitudineGradi = 14
|longitudineMinuti = 24
|longitudineSecondi = 53
|mappaX = 192
|mappaY = 199
|altitudine = 156 (60 - 579) <ref name="istat2001">{{Cite web|author=[[国立統計研究所 (イタリア)|国立統計研究所（ISTAT）]]|url=http://dawinci.istat.it/daWinci/jsp/MD/dawinciMD.jsp?a1=m0GG0c0I0&a2=mG0Y8048f8&n=1UH90T07S25&v=1UH07B07SV50000|title=Tavola: Popolazione residente - Caserta (dettaglio loc. abitate) - Censimento 2001|language=イタリア語|accessdate=2018-12-21}}</ref>
|superficie = 10.81 <ref name="kmq">{{Cite web|author=[[国立統計研究所 (イタリア)|国立統計研究所（ISTAT）]]|url=http://dawinci.istat.it/MD/dawinciMD.jsp?a1=m0I040WI0&a2=mG0y8048f8&n=1UH90007S04&v=1UH0D807SV40000|title=Tavola: Superficie territoriale (Kmq) - Caserta (dettaglio comunale) - Censimento 2001.|language=イタリア語|accessdate=2018-12-21}}</ref>
|abitanti  = 2605
|anno = 2025-01-01 <ref name="demo.istat">{{Cite web|url=https://demo.istat.it/app/?i=POS&l=it|title=Popolazione residente per sesso, età e stato civile al 1° gennaio 2025|publisher=[[国立統計研究所 (イタリア)|国立統計研究所（ISTAT）]]|language=it|accessdate=2025-06-23}}メニューでVista per singola areaを選択。Anno:2025, Ripartizione:Sud, Regione:Campania, Provincia:Caserta, Comune:Valle di Maddaloni を選択</ref>
|densita = {{formatnum:{{#expr:2605/10.81 round 1}}}}
|frazioni = Ponti della Valle, Suppa
|comuniLimitrofi = [[#隣接コムーネ]]参照
|cap = 81020
|prefisso = 0823
|istat = 061097
|fiscale = L591
|zonaSismica = [[#気候分類・地震分類]]参照
|nomeAbitanti = vallesi
|patrono  = [[:it:San Pancrazio|San Pancrazio martire]]
|festivo  = 5月12日
|gradiGiorno = <!--気候分類・地震分類参照 -->
|sito = https://comune.valledimaddaloni.ce.it/
|Mappa = Map of comune of Valle di Maddaloni (province of Caserta, region Campania, Italy).svg
|Didascalia mappa = カゼルタ県におけるコムーネの領域
{{Maplink2|zoom=11|frame=yes|plain=yes|id=Q58925|frame-align=center|frame-width=280|frame-height=250|type=shape|stroke-color=#cc0000|stroke-width=2}}
}}
'''ヴァッレ・ディ・マッダローニ'''（{{lang-it-short|'''Valle di Maddaloni'''}}）は、[[イタリア|イタリア共和国]][[カンパニア州]][[カゼルタ県]]にある、人口約{{formatnum:{{#expr:(( 2605 /100) round 0)*100}}}}人の[[基礎自治体]]（[[コムーネ]]）。

== 地理 ==
=== 位置・広がり ===
==== 隣接コムーネ ====
隣接するコムーネは以下の通り。括弧内のBNは[[ベネヴェント県]]所属を示す。
*[[カゼルタ]]
*[[チェルヴィーノ]]
*[[ドゥラッツァーノ]] (BN)
*[[マッダローニ]]
*[[サンターガタ・デ・ゴーティ]] (BN)
=== 気候分類・地震分類 ===
ヴァッレ・ディ・マッダローニにおけるイタリアの気候分類{{enlink|Classificazione climatica dei comuni italiani||it|a=on}}および度日は、{{Geobox classificazioneClimatica|1399}}である<ref name="gradiGiorno">{{Cite web |publisher=[[:it:Agenzia nazionale per le nuove tecnologie, l'energia e lo sviluppo economico sostenibile|新技術エネルギー環境局(ENEA)]]| url= http://efficienzaenergetica.acs.enea.it/doc/dpr412-93_allA_tabellagradigiorno.pdf|title= Tabella dei gradi/giorno dei Comuni italiani raggruppati per Regione e Provincia|formato=PDF|date=2011-03-01|accessdate=2020-09-20|archiveurl=https://web.archive.org/web/20170101172416/http://efficienzaenergetica.acs.enea.it/doc/dpr412-93_allA_tabellagradigiorno.pdf|archivedate=2017-01-01}}</ref>。
また、[[イタリアの地震リスク階級]]{{enlink|Classificazione sismica dell'Italia||it|a=on}}では、{{Geobox classificazioneSismica|2}} に分類される<ref name="divamm-sismica">{{cite web|publisher=[[イタリア市民保護局]]
|url=https://rischi.protezionecivile.gov.it/static/4b56f8380605428eaf0f7f6e110403a7/classificazione-sismica-agg-apr-23.xlsx
|website=https://rischi.protezionecivile.gov.it/it/sismico/attivita/classificazione-sismica/
|title=classificazione sismica aggiornata al aprile 2023|format=xls|accessdate=2023-12-16}}</ref>。

== 脚注 ==
{{脚注ヘルプ}}
{{Reflist}}

== 外部リンク ==
{{commonscat|Valle di Maddaloni}}

{{カゼルタ県}}
{{DEFAULTSORT:うあつれていまつたろに}}
{{italia-comune-stub}}

[[Category:カゼルタ県のコムーネ]]
[[Category:イタリアのコムーネ う|あつれていまつたろに]]

title: 行政

国: イタリア

州: カンパニア

県／大都市: カゼルタ

分離集落: Ponti della Valle, Suppa

隣接コムーネ: #隣接コムーネ参照

公式サイト: リンク

title: 人口

title: 文化

住民の呼称: vallesi

守護聖人: San Pancrazio martire

title: 地理

地理:
ヴァッレ・ディ・マッダローニの位置
· カゼルタ県におけるコムーネの領域
ポータル イタリア


text:
# 網切一郎
網切 一郎（マンジョル イルラン、망절 일랑、日本名：あみきり いちろう、1942年9月5日 - 2012年8月21日）は大韓民国慶尚南道出身の日系韓国人であり、韓国の本貫である島間網切氏の始祖である。キノコ栽培に尽力し、生前はキノコ博士として知られていた。

## 来歴
1942年、元巡査部長で旅客社営業所長の日本人網切吉右衛門、韓国人梁斗連の一人息子として慶尚南道金海で生まれる。
1945年8月、終戦に伴い吉右衛門が収容所に軟禁。近隣の家に遊びに行っていた一郎と再会することなく、9月に日本に強制送還される。晋州市の母方の祖父ヤン医師に引き取られ、孫として育てられる。この家族の下、韓国人として過ごすが、迫害も経験する。
高校2年生時に祖父が死去。退学後の1958年、釜山畜産業協同組合に勤務。数年後、婚姻届け時に祖父の養子であることを知り、肉親探しを始める。
NHKラジオ尋ね人の時間がきっかけで1967年1月、吉右衛門より便りが届く。喉頭癌の後遺症で構音障害であった吉右衛門と書簡の交換を重ねる。一刻も早い再会を望んだが、兵役義務未遂行のため海外渡航は不認可となる。8月初め、吉右衛門が認知手続きのため訪れた鹿児島市で脳卒中で倒れる。31日、吉右衛門死去。それでも祖国の地を踏み「日本男子として生きる」願いを果たすため、1968年5月より兵役に就く。
1970年、裁判の末、実父の戸籍に入籍。兵役義務が消滅し、23ヶ月で退役する。この時期の裁判費用で多額の借金を背負う。日本への渡航も果たし移住も検討したが、実父の遺産問題や育った国への思いなどもあり韓国に帰化。吉右衛門の出身地である鹿児島県南種子町島間（しまま）を本貫とする「島間網切氏（トガンマンジョルシ）」の始祖となった。（日本語読みの「アミキリ」を主張したが受け入れられず、「マンジョル」と読む仲裁案に従った）
親類から譲り受けた農園で稲作業を営むが不振で、1972年からキノコ栽培を始める。1994年には韓国内で初めてエリンギ栽培に成功し、2001年、30年間培われたキノコ栽培技術が認められて、第35回新農民賞大統領賞を受賞した。この間、地元の里長（町長に相当）も歴任。これらの実績により「キノコ博士」と呼ばれた。宅地開発による農場移転後の2009年からは、サンチュとセリ栽培にも取り組んだ。また日韓農家の交換ホームステイにも取り組み、日韓親善に尽力した。
2012年8月21日、農作業中に倒れ、69歳で死去。

title: 網切一郎

wikitext:
{{韓国の事物|
|title=網切一郎
|alphabet-type=[[文化観光部2000年式|ローマ字転写]]
|alphabet=Mangjeol Illang
|hangeul=망절일랑
|hanja=網切一郞
|katakana=マンジョルイルラン(マンジョリルラン)
}}
'''網切 一郎'''（マンジョル イルラン、{{lang|ko|망절 일랑}}、日本名：あみきり いちろう、[[1942年]][[9月5日]] - [[2012年]][[8月21日]]<ref>[http://ysnews.co.kr/default/index_view_page.php?part_idx=3190&idx=55886 버섯박사 망절일랑 별세]梁山市民新聞
</ref>）は[[大韓民国]][[慶尚南道]]出身の[[日系人|日系]][[大韓民国#国民|韓国人]]であり、韓国の[[本貫]]である[[島間網切氏]]の始祖である。[[キノコ]]栽培に尽力し、生前はキノコ博士として知られていた。

==来歴==
1942年、元巡査部長で旅客社営業所長の日本人網切吉右衛門、韓国人梁斗連の一人息子として[[慶尚南道]]金海で生まれる。

1945年8月、終戦に伴い吉右衛門が収容所に軟禁。近隣の家に遊びに行っていた一郎と再会することなく、9月に日本に強制送還される。[[晋州市 (慶尚南道)|晋州市]]の母方の祖父ヤン医師に引き取られ、孫として育てられる。この家族の下、韓国人として過ごすが、迫害も経験する。

高校2年生時に祖父が死去。退学後の1958年、釜山畜産業協同組合に勤務。数年後、婚姻届け時に祖父の養子であることを知り、肉親探しを始める。

[[NHKラジオ]][[尋ね人の時間]]がきっかけで1967年1月、吉右衛門より便りが届く。喉頭癌の後遺症で構音障害であった吉右衛門と書簡の交換を重ねる。一刻も早い再会を望んだが、兵役義務未遂行のため海外渡航は不認可となる。8月初め、吉右衛門が認知手続きのため訪れた鹿児島市で脳卒中で倒れる。31日、吉右衛門死去。それでも祖国の地を踏み「日本男子として生きる」願いを果たすため、1968年5月より兵役に就く。

1970年、裁判の末、実父の戸籍に入籍。兵役義務が消滅し、23ヶ月で退役する。この時期の裁判費用で多額の借金を背負う。日本への渡航も果たし移住も検討したが、実父の遺産問題<ref>{{cite news|url=http://m.news.naver.com/read.nhn?mode=LSD&sid1=104&oid=001&aid=0003186838 |title=일본 아버지 성씨 찾은 한국인 망절일랑씨|publisher= 聯合ニュース|language= |date=2010-03-24}}</ref>や育った国への思いなどもあり韓国に[[帰化]]。吉右衛門の出身地である[[鹿児島県]][[南種子町]]島間（しまま）を[[本貫]]とする「[[島間網切氏]]（トガンマンジョルシ）」の始祖となった。（日本語読みの「アミキリ」を主張したが受け入れられず、「マンジョル」と読む仲裁案に従った）

親類から譲り受けた農園で稲作業を営むが不振で、1972年からキノコ栽培を始める<ref>{{cite news|url=http://www.ystv.co.kr/news/articlePrint.html?idxno=4433 |title=양산의 큰 별이 지다버섯박사 망절일랑씨 별세|publisher=梁山ニュース|language= |date=2012-08-29}}</ref>。1994年には韓国内で初めて[[エリンギ]]栽培に成功し、2001年、30年間培われたキノコ栽培技術が認められて、第35回新農民賞大統領賞を受賞した。この間、地元の[[里正|里長]]（町長に相当）も歴任。これらの実績により「キノコ博士」と呼ばれた。宅地開発による農場移転後の2009年からは、サンチュとセリ栽培にも取り組んだ。また日韓農家の交換ホームステイにも取り組み、日韓親善に尽力した。

2012年8月21日、農作業中に倒れ、69歳で死去。

== 出典 ==
{{Reflist}}

==参考文献==
*竹中労「孫〔シン〕斗--焦土(ケマダ)のなかの彼我 (共同体幻想への反逆)」 - 現代の眼(1971.5)
* [http://www.town.minamitane.kagoshima.jp/assets/files/pdf/kouhouminamitane/kouhou2011.5.pdf 貫門 - 南種子町]南種子町広報2011年5月 網切一郎氏が記念碑を建立
* [https://www.youtube.com/watch?v=vtW-xn2YwTE 세상사는 이야기 Life story EP72]KBSDocumentary YouTube
* [http://www.kbs.co.kr/1tv/sisa/lifestory/vod/1990617_37188.html 『세상사는 이야기』73회 망절氏 와 버섯]KBS 20120904

==関連項目==
*[[島間網切氏]]
*[[日系人]]

==外部リンク==
*[http://japanese.chosun.com/site/data/html_dir/2003/02/03/20030203000031.html 帰化した日本人農夫　網切一郞氏] - 朝鮮日報{{リンク切れ|date=2017年8月}}
*[https://japanese.joins.com/JArticle/66670 【ピープル】日本人の血筋で60年「韓国で生きる」網切一郎さん] - 中央日報
*[http://blog.naver.com/aldud6893 망절농장] - 網切農場ブログ
{{People-stub}}

{{DEFAULTSORT:まんしよる いるらん}}
[[Category:韓国の人物]]
[[Category:日系韓国人]]
[[Category:島間網切氏]]
[[Category:慶尚南道出身の人物]]
[[Category:1942年生]]
[[Category:2012年没]]

title: 各種表記

ハングル：: 망절일랑

漢字：: 網切一郞

発音：: マンジョルイルラン(マンジョリルラン)

ローマ字転写：: Mangjeol Illang


text:
# ブレイズデル・センター
ブレイズデル・センター（英語: Neal S. Blaisdell Center）は、アメリカ合衆国ハワイ州ホノルルのダウンタウンにある複合施設で、多目的アリーナ、コンサートホール、展示ホール、ガレリア、会議室、ワイキキ・シェルなどがある。
1964年に歴史的なウォード エステートに建設され、当初はホノルル・インターナショナル・センターと呼ばれていたが、建設を監督したホノルル市長のニール・ブレイズデルにちなんで改名された。1994年に改造および拡張された。この複合施設は、ワイキキ・シェルをも監督する市の企業サービス局によって監督されている。2019年の時点で、市はコミュニティの目標を評価するために、広範な利害関係者と一般市民の関与を得て、このサイトを再開発しようとしている。
ブレイズデル・アリーナでは、エルヴィス・プレスリーの『アロハ・フロム・ハワイ』（1973年）などが行われてきた。ブレイズデル・コンサートホールは、ハワイ交響楽団およびハワイ・オペラ・シアターの主会場である。ブレイズデル展示ホールでは様々な業界の展示会が行われて、ハワイ・コンベンション・センターと共にハワイでの重要な展示場である。なお、ワイキキ・シェルは少し離れたカピオラニ公園にある。

## 参照項目
- ダウンタウン・ホノルル
- カカアコ

title: ブレイズデル・センター

wikitext:
[[File:Blaisdell Arena - Honolulu 10-Feb-2010.jpg|thumb|ブレイズデル・アリーナ]]
[[File:Blaisdell Concert Hall - Honolulu 10-Feb-2010.jpg|thumb|ブレイズデル・コンサートホール]]
[[File:Blaisdell Exhibition Hall.jpg|thumb|ブレイズデル展示ホール]]
'''ブレイズデル・センター'''（{{Lang-en|Neal S. Blaisdell Center}}）は、[[アメリカ合衆国]][[ハワイ州]][[ダウンタウン・ホノルル|ホノルルのダウンタウン]]にある複合施設で、<ref>[https://www.allhawaii.jp/spot/4193/ ニール・ブレイズデル・センター Neal S. Blaisdell Center (The Hawaiian Islands, Allhawaii)]</ref>多目的アリーナ、コンサートホール、展示ホール、ガレリア、会議室、[[ワイキキ・シェル]]などがある。

1964年に歴史的なウォード エステート<ref>[https://www.wardvillage.com/about/history/ Victoria Ward, Steward of the Land (Discover the Wonders of Ward)]</ref>に建設され、当初はホノルル・インターナショナル・センターと呼ばれていたが、建設を監督したホノルル市長の[[ニール・ブレイズデル]]にちなんで改名された。1994年に改造および拡張された。この複合施設は、ワイキキ・シェルをも監督する市の企業サービス局によって監督されている。2019年の時点で、市はコミュニティの目標を評価するために、広範な利害関係者と一般市民の関与を得て、このサイトを再開発しようとしている。

'''ブレイズデル・アリーナ'''では、[[エルヴィス・プレスリー]]の『アロハ・フロム・ハワイ』（1973年）などが行われてきた。'''ブレイズデル・コンサートホール'''は、[[ハワイ交響楽団]]および[[ハワイ・オペラ・シアター]]の主会場である。'''ブレイズデル展示ホール'''では様々な業界の展示会が行われて、[[ハワイ・コンベンション・センター]]と共にハワイでの重要な展示場である。なお、'''ワイキキ・シェル'''は少し離れた[[カピオラニ公園]]にある。

==参照項目==
*[[ダウンタウン・ホノルル]]
*[[カカアコ]]

==脚注==
{{Reflist}}

==外部リンク==
{{Commonscat|Neal S. Blaisdell Center}}
{{coord|21.29991|N|157.85062|W|display=title}}
* [https://blaisdellcenter.com/ オフィシャルサイト]

{{DEFAULTSORT:ふれいすてるせんたあ}}
[[Category:アメリカ合衆国のコンサートホール]]
[[Category:アメリカの歌劇場]]
[[Category:ハワイ州の劇場]]
[[Category:ハワイ州の観光地]]
[[Category:ホノルルの建築物]]
[[Category:ホノルルの地理]]


text:
# 真福寺 (仙台市)
真福寺（しんぷくじ）は、宮城県仙台市若林区土樋にある時宗の仏教寺院である。広沢山無量院と号す。広瀬川の左岸に位置する。13世紀に葛西領の登米郡で建てられ、伊達氏の支配下で岩出山に、ついで仙台へと移った。仙台にある2つの時宗寺院のうちの1つである。

## 歴史
明治9年（1876年）に真福寺が提出した書上は、正中2年（1325年）閏正月に時宗の僧安国上人が創立したとする。江戸時代の地誌『封内風土記』は、嘉暦元年（1326年）と伝え、同じく江戸時代の『仙台鹿の子』と『奥羽観蹟聞老志』は建武元年（1334年）の創建と記す。正確な年は不明だが、安国が3年間奥州をめぐって布教したことは確かで、年代的に不自然なところはない。
はじめ真福寺が立てられたのは登米郡にある葛西氏本拠地の城下であった。天正18年（1590年）の葛西氏滅亡とともに衰微したが、覚恵が岩出山城に新領主として入った伊達政宗に再興を願い、許されて岩出山に移転した。
江戸時代には、仙台藩の下で、同じ時宗の阿弥陀寺などとともに着座格という寺格に位置づけられた。着座格は、御一門格、御盃頂戴格に次ぐ。広い寺領や伽藍を持つ大寺院と肩を並べるものではないが、仙台領の中では由緒あるものとして尊重されたと言える。寺禄として121石を与えられた。真福寺は城下の南、姉歯横丁のつきあたり、広瀬川に面したところにあった。
境内に一つの仏堂があり、安国上人と子育明神を合わせ祀る。江戸時代の縁起によれば、小児の願いをたちどころにかなえ、乳が出ない母に乳が出るようになるという。明治時代に鎮守堂と名づけられた。その隣の安国堂には、安国上人の姿を刻んだ寄木造の木像が安置されている。安国自らが作ったという伝もあるが、室町時代の制作と推定される。1990年（平成2年）3月19日に仙台市の指定文化財になった。
明治時代に姉歯横丁を延長して愛宕橋が架けられ、真福寺の敷地は建物が西、墓地は東と分断された。寺禄を失った明治初めには、廃仏の風潮とあいまって著しく衰退し、諸建造物が失われた。明治の終わりになって龍善和尚のもとで復興を果たした。

## 文化財
- 木造安国上人坐像 - 仙台市指定有形文化財

寄木造、高さ80.7センチメートル。坐して合掌した姿である。

title: 真福寺 (仙台市)

wikitext:
{{日本の寺院
|名称 = 真福寺
|画像 = [[File:Shimpuku-ji in Sendai 2009-06-01a.JPG|240px|真福寺（2009年6月）]]
|画像説明 = 真福寺（2009年6月）
|所在地 = [[宮城県]][[仙台市]][[若林区]]土樋1丁目11-16
|位置 =
|山号 = 広沢山
|院号 = 無量院
|宗旨 = [[時宗]]
|宗派 =
|本尊 =
|創建年 = 正中2年（[[1325年]]）
|開山 = 安国<!--曖昧さ回避の必要な文字列に対する内部リンクはご遠慮願います(jawpに適切なリンク先がない)-->
|開基 =
|正式名 =
|別称 =
|札所等 =
|文化財 = 木造安国上人坐像
}}

'''真福寺'''（しんぷくじ）は、[[宮城県]][[仙台市]][[若林区]]土樋にある[[時宗]]の仏教寺院である。広沢山無量院と号す。[[広瀬川 (宮城県)|広瀬川]]の左岸に位置する。[[13世紀]]に[[葛西氏|葛西]]領の[[登米郡]]で建てられ、[[伊達氏]]の支配下で[[岩出山町|岩出山]]に、ついで[[仙台市|仙台]]へと移った。仙台にある2つの時宗寺院のうちの1つである。
== 歴史 ==
明治9年（[[1876年]]）に真福寺が提出した書上は、正中2年（[[1325年]]）閏正月に時宗の僧安国上人が創立したとする<ref name="#1">「仙台の寺社と教会」335頁。</ref>。江戸時代の地誌『[[封内風土記]]』は、嘉暦元年（[[1326年]]）と伝え、同じく江戸時代の『[[仙台鹿の子]]』と『[[奥羽観蹟聞老志]]』は建武元年（[[1334年]]）の創建と記す<ref>『増補・仙台鹿の子　全』、65頁。佐久間義和『奥羽観蹟聞老志』巻之六（『仙台叢書奥羽観蹟聞老志』上巻184頁）。両書とも[[光厳天皇|光厳帝]]のとき、建武元年とするが、光厳天皇はその前年に廃位された。</ref>。正確な年は不明だが、安国が3年間奥州をめぐって布教したことは確かで、年代的に不自然なところはない<ref name="#1"/>。

はじめ真福寺が立てられたのは登米郡にある[[葛西氏]]本拠地の城下であった。天正18年（[[1590年]]）の葛西氏滅亡とともに衰微したが、覚恵が[[岩出山城]]に新領主として入った[[伊達政宗]]に再興を願い、許されて岩出山に移転した<ref name="#1"/>。

江戸時代には、[[仙台藩]]の下で、同じ時宗の[[阿弥陀寺 (仙台市)|阿弥陀寺]]などとともに着座格という寺格に位置づけられた。着座格は、御一門格、御盃頂戴格に次ぐ。広い寺領や伽藍を持つ大寺院と肩を並べるものではないが、仙台領の中では由緒あるものとして尊重されたと言える。寺禄として121石を与えられた。真福寺は城下の南、姉歯横丁のつきあたり、広瀬川に面したところにあった。

境内に一つの仏堂があり、安国上人と子育明神を合わせ祀る。江戸時代の縁起によれば、小児の願いをたちどころにかなえ、乳が出ない母に乳が出るようになるという。明治時代に鎮守堂と名づけられた<ref>「仙台の寺社と教会」336-338頁。</ref>。その隣の安国堂には、安国上人の姿を刻んだ[[寄木造]]の木像が安置されている。安国自らが作ったという伝もあるが、室町時代の制作と推定される。[[1990年]]（平成2年）3月19日に仙台市の指定文化財になった。

明治時代に姉歯横丁を延長して[[愛宕橋 (広瀬川)|愛宕橋]]が架けられ、真福寺の敷地は建物が西、墓地は東と分断された。寺禄を失った明治初めには、廃仏の風潮とあいまって著しく衰退し、諸建造物が失われた。明治の終わりになって龍善和尚のもとで復興を果たした。

== 文化財 ==
*木造安国上人坐像 - 仙台市指定有形文化財

:寄木造、高さ80.7センチメートル。坐して合掌した姿である<ref>『仙台市の文化財』67頁。</ref>。

== 脚注 ==
{{脚注ヘルプ}}
<references />

== 参考文献 ==
* 作者不明『[[仙台鹿の子]]』、元禄8年（1695年）。大内源太右衛門・校訂・補注『増補・[[仙台鹿の子]] 全』、仙台郷土史研究会、1977年。
* [[佐久間義和]]『[[奥羽観蹟聞老志]]』、享保4年（1719年）。鈴木省三・編『仙台叢書奥羽観蹟聞老志』、仙台叢書刊行会、1928年。
* 仙台市教育委員会・編集発行『仙台市の文化財』、1996年。
* 仙台市史編さん委員会・編『仙台市史　通史編4　近世2』、仙台市、2003年。
* 山本晃「仙台の寺社と教会」、仙台市史編纂委員会『[[仙台市史]]』別編5、[[仙台市役所]]、1953年。復刻版1975年。
* [http://www.city.sendai.jp/kyouiku/index.html 仙台市教育委員会]のサイトにある[http://www.city.sendai.jp/kyouiku/bunkazai/database/c0000000099.html 仙台市の指定・登録文化財の説明ページ]。（2007年10月取得）

{{Pref-stub|pref=宮城県}}
{{DEFAULTSORT:しんふくし}}
[[Category:時宗の寺院]]
[[Category:仙台市の寺]]
[[Category:若林区の歴史]]
[[Category:若林区の建築物]]

title: 真福寺

所在地: 宮城県仙台市若林区土樋1丁目11-16

山号: 広沢山

院号: 無量院

宗旨: 時宗

創建年: 正中2年（1325年）

開山: 安国

文化財: 木造安国上人坐像


text:
# ベルクト (ウクライナ警察)
ベルクト（ウクライナ語: Бе́ркут）は、かつて存在したウクライナ内務省管轄の民警（ミリーツィヤ）に属する特殊部隊。部隊名はウクライナ語で「イヌワシ」を意味する。
尊厳の革命にてロシア寄りであったヴィクトル・ヤヌコーヴィチ政権の下で、親EUであった反政府過激派勢力の鎮圧に動員された。2014年2月25日、ヤヌコーヴィチ政権が倒れた後「2014年ウクライナ騒乱においてデモ隊の鎮圧に暴力を用いた」とされ、アルセン・アヴァコフ内相代行の命令により解体された。
なお、ベルクト解体の5日前にクリミア半島はロシアに併合された（クリミア連邦管区→南部連邦管区クリミア共和国）が、クリミア半島に配備されていたベルクト部隊はそのまま同地でロシア内務省の指揮下に編入され、警護および暴徒鎮圧、対テロリズムを任務としている。またクリミア以外に配備されていた元ベルクト隊員のうち、ウクライナ政府寄りの者はウクライナ国家親衛隊に再雇用され、親ロシア派のものはロシアに亡命してクリミア半島に残ったベルクト部隊に編入された。

## 歴史
1992年、ソビエト連邦のOMONを参考に設立された。
2014年、2014年ウクライナ騒乱において反政府過激派勢力の鎮圧にあたる。

### 2014年ウクライナ騒乱以後
2014年2月25日、ウクライナの政権交代により解体される。
同年3月1日、元隊員らに対するロシア旅券の発行が開始され、元隊員の内、親ロシア派の者らがロシア側に亡命。
その後、ロシア内務省に編入され、クリミアにおける治安部隊となった。
2016年4月5日、ロシア内務省隷下の国内軍やOMON、SOBRなどの重装備部隊が国家親衛隊として再編されると、ベルクトも国家親衛隊の隷下に編入された（ベルクト (ロシア国家親衛隊)）。

title: ベルクト (ウクライナ警察)

wikitext:
{{Infobox Military Unit
 | 名称 = 公安民警特殊部隊「ベルクト」
 | 現地名 = {{lang|uk|Спеціальний підрозділ міліції громадської безпеки «Беркут»}}
 | 画像 = File:Спеціальний підрозділ міліції громадської безпеки «Беркут».png
 | 画像説明 = ウクライナ内務省所属時代の、ベルクトの腕章
 | 創設 = 1992年1月16日
 | 廃止 =
 | 解散 = 2014年2月25日
 | 国名 = {{UKR}}
→ {{RUS}}
 | 忠誠 =
 | 軍種 = [[警察戦術部隊]]（警察特殊部隊）
 | 上級部隊 = [[File:Геральдичний знак - емблема МВС України.svg|20px]] [[ウクライナ内務省]]（1992年-2014年）
→ [[File:Flag of the Ministry for Internal Affairs of the Russian Federation (MVD of Russia).svg|20px]] [[ロシア内務省]]（2014年-2016年）
→ [[File:Flag of National Guard of the Russian Federation.svg|20px]] [[ロシア国家親衛隊]]（2016年以後）
 | 兵科 =
 | 任務 = {{仮リンク|民警 (ウクライナ)|uk|Міліція України|en|Militsiya (Ukraine)|label=民警}}の支援、公共秩序維持、[[人質]]解放、[[対テロ作戦]]
 | 規模 = 1992年1月 — 6,000名
2014年1月 — 約4,000人
2016年 — 400名（ロシア時代）
 | 作戦機 =
 | 基地 = ウクライナ：[[キーウ]]（本部所在地）
→ ロシア：[[セヴァストポリ]]（本部所在地）
 | 渾名 =
 | モットー = {{Plainlist|
* {{lang|uk|«Безпека народу　—　найвищий закон»}}（人々の安全-最高の法）
* {{lang|uk|«Перемагає сильніший»}}（強い者が勝つ）
* {{lang|uk|«Вище беркута ніхто не літає»}}（イヌワシより高く飛ぶ者は無し）}}
 | 主な戦歴 = *[[尊厳の革命]]
 | 感状 =
 | 勲章 =
 | 解散後 =
 | 司令官 =
 | 参謀長 =
 | 連隊長 =
 | 著名な司令官 =
 |identification_symbol = [[File:Emblem of the Berkut.svg|150px]]
 |identification_symbol_label= ロシア時代の腕章
}}
[[File:Міліційний_підрозділ_у_Маріїнському_парку._Київ.jpg|230px|thumb|right|ベルクトの隊員]]
'''ベルクト'''（{{lang-uk|Бе́ркут}}）は、かつて存在した[[ウクライナ内務省]]管轄の{{仮リンク|民警 (ウクライナ)|uk|Міліція України|ru|Милиция Украины|en|Militsiya (Ukraine)|label=民警（ミリーツィヤ）}}<ref>2015年に[[ウクライナ国家警察]]に再編。</ref>に属する[[特殊部隊]]。部隊名はウクライナ語で「[[イヌワシ]]」を意味する。

[[尊厳の革命]]にて[[ロシア]]寄りであった[[ヴィクトル・ヤヌコーヴィチ]][[政権]]の下で、親[[欧州連合|EU]]であった反政府[[過激派]]勢力の鎮圧に動員された<ref name="vio"></ref><ref name="dis"></ref>。2014年2月25日、ヤヌコーヴィチ政権が倒れた後「2014年ウクライナ騒乱においてデモ隊の鎮圧に暴力を用いた」とされ、アルセン・アヴァコフ内相代行の命令により解体された<ref name="vio" />。

なお、ベルクト解体の5日前に[[クリミア半島]]はロシアに併合された（[[クリミア連邦管区]]→[[南部連邦管区]][[クリミア共和国]]）が、クリミア半島に配備されていたベルクト部隊はそのまま同地で[[ロシア内務省]]の指揮下に編入され、警護および[[暴徒鎮圧]]、対[[テロリズム]]を任務としている。またクリミア以外に配備されていた元ベルクト隊員のうち、ウクライナ政府寄りの者は[[ウクライナ国家親衛隊]]に再雇用され、親ロシア派のものはロシアに亡命してクリミア半島に残ったベルクト部隊に編入された<ref name="news.yahoo.com"></ref>。

== 歴史 ==
1992年、[[ソビエト連邦]]の[[OMON]]を参考に設立された。

2014年、2014年ウクライナ騒乱において反政府過激派勢力の鎮圧にあたる<ref name="dis"></ref>。

=== 2014年ウクライナ騒乱以後 ===
2014年2月25日、ウクライナの[[政権交代]]により解体される<ref name="dis">{{cite news2
 |url=https://jp.sputniknews.com/japanese.ruvr.ru/2014_02_26/129185482/
 |title=ウクライナ　特別部隊「ベルクト」が解体される
 |date=26 Feb 2014
 |archivedate=28 Sep 2017
 |archiveurl=https://web.archive.org/web/20170928150522/https://jp.sputniknews.com/japanese.ruvr.ru/2014_02_26/129185482/
 |url-status=dead
 |df=dmy
}}</ref>。

同年3月1日、元隊員らに対するロシア[[旅券]]の発行が開始され、元隊員の内、親ロシア派の者らがロシア側に[[亡命]]<ref name="vio">{{cite news2
 |url=https://jp.sputniknews.com/japanese.ruvr.ru/2014_03_01/129298442/
 |title=ウクライナ特殊部隊「ベルクート」元職員、1日にもロシア市民に
 |date=1 Mar 2014
 |archivedate=29 Jul 2015
 |archiveurl=https://web.archive.org/web/20150729012026/https://jp.sputniknews.com/japanese.ruvr.ru/2014_03_01/129298442/
 |url-status=dead
 |df=dmy
}}</ref>。

その後、ロシア内務省に編入され、クリミアにおける治安部隊となった<ref name="news.yahoo.com">{{cite news2
 |url=http://news.yahoo.com/ragtag-camp-grows-russias-frontier-201155946.html
 |title=Ragtag camp grows on Russia's new frontier
 |archivedate=22 Mar 2014
 |archiveurl=https://web.archive.org/web/20140322113513/http://news.yahoo.com/ragtag-camp-grows-russias-frontier-201155946.html
 |url-status=dead
 |df=dmy
}}</ref>。

2016年4月5日、ロシア内務省隷下の[[ロシア国内軍|国内軍]]やOMON、[[緊急対応特殊課|SOBR]]などの重装備部隊が[[ロシア国家親衛隊|国家親衛隊]]として再編されると、ベルクトも国家親衛隊の隷下に編入された（{{仮リンク|ベルクト (ロシア国家親衛隊)|ru|Отряд мобильный особого назначения «Беркут»}}）。

== 脚注 ==
{{Reflist|2}}

== 関連項目 ==
{{Commons|Category:Berkut (Ukraine)}}
*[[特殊任務巡回警察]] - ウクライナにおけるベルクトの後継組織。[[ドンバス戦争]]では[[ウクライナ軍|正規軍]]や[[ウクライナ国家親衛隊|国家親衛隊]]などと共に親ロシア派武装勢力の鎮圧を担当している。
*[[KORD]] - 2016年に編成された、ウクライナ国家警察の対テロ特殊部隊。
*[[OMON]] - 旧ソ連・ロシアの公安民警系特殊部隊。ベルクトの母体でもある。ロシアのOMONは2016年にロシア内務省からロシア国家親衛隊に移管された。
*[[ブルキート]] - [[カザフスタン国内軍]]の特殊部隊。

{{Police-stub}}

{{DEFAULTSORT:へるくと}}
[[Category:警察系特殊部隊]]
[[Category:ウクライナ内務省]]
[[Category:ロシア内務省]]
[[Category:ウクライナの特殊部隊]]
[[Category:2014年クリミア危機]]
[[Category:ユーロマイダン]]
[[Category:1992年設立の組織]]

title: 公安民警特殊部隊「ベルクト」

国籍: ウクライナ · → ロシア

軍種: 警察戦術部隊（警察特殊部隊）

任務: 民警の支援、公共秩序維持、人質解放、対テロ作戦

上級部隊: ウクライナ内務省（1992年-2014年） · → ロシア内務省（2014年-2016年） · → ロシア国家親衛隊（2016年以後）

基地: ウクライナ：キーウ（本部所在地） · → ロシア：セヴァストポリ（本部所在地）

モットー: - «Безпека народу — найвищий закон»（人々の安全-最高の法） - «Перемагає сильніший»（強い者が勝つ） - «Вище беркута ніхто не літає»（イヌワシより高く飛ぶ者は無し）

戦歴: - 尊厳の革命

title: 識別

識別: 表 話 編 歴